Zobrazeno 1 - 10
of 119
pro vyhledávání: '"4H-SiC MOSFET"'
Publikováno v:
Circuit World, 2021, Vol. 48, Issue 4, pp. 401-411.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/CW-12-2020-0351
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials, Vol 15, Iss 19, p 6736 (2022)
The channel conduction in 4H-SiC metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are highly impacted by charge trapping and scattering at the interface. Even though nitridation reduces the interface trap density, scattering still pla
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/abdae61dc89642ec91a20c4ae608ad9f
Publikováno v:
Crystals, Vol 12, Iss 8, p 1111 (2022)
Enhancement-mode 4H-SiC MOSFETs utilising an aluminium oxide (Al2O3) dielectric without the requirement for an underlying silicon oxide (SiO2) layer have been shown to have a field effect mobility of 150 cm2V−1s−1 and a subthreshold swing of 160
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e589cd3a373a468dac329c948c59007c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Peyush Pande, Sima Dimitrijev, Daniel Haasmann, Hamid Amini Moghadam, Philip Tanner, Jisheng Han
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 468-474 (2018)
This brief presents direct electrical measurement of active defects in the strong-accumulation region of N-type 4H-SiC MOS capacitors, which corresponds to the strong-inversion region of N-channel MOSFETs. The results demonstrate the existence of an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16ee35701d25404fbc2ac6a017c61f6c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.