Zobrazeno 1 - 10
of 156
pro vyhledávání: '"4H silicon carbide"'
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 10, Iss 21, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract High‐efficiency and low‐loss processing is the mainstay to reduce the cost and deepen the application of 4H silicon carbide (4H‐SiC) wafers in high‐power and high‐frequency electronics. In this study, the high‐yield slicing of 4H
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d7855d7774ca460e850d36ee3cc27904
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 10, Iss 13, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract 4H silicon carbide (4H‐SiC) holds great promise for high‐power and high‐frequency electronics, in which high‐quality 4H‐SiC wafers with both global and local planarization are cornerstones. Chemical–mechanical polishing (CMP) is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9571f632fa98417591eba6ef196bbb1b
Autor:
Wandong Gao, Guang Yang, Yixiao Qian, Xuefeng Han, Can Cui, Xiaodong Pi, Deren Yang, Rong Wang
Publikováno v:
Frontiers in Materials, Vol 10 (2023)
Improving the quality of 4H silicon carbide (4H-SiC) epitaxial layers to reduce the leakage current of 4H-SiC based high-power devices is a long-standing issue in the development of 4H-SiC homoepitaxy. In this work, we compare the effect of different
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fbd6db8d194740b7b748dd13e9c2a2cb
Autor:
Lixia Zhao
Publikováno v:
Nanotechnology and Precision Engineering, Vol 3, Iss 4, Pp 229-234 (2020)
Although a high-quality homoepitaxial layer of 4H‑silicon carbide (4H-SiC) can be obtained on a 4° off-axis substrate using chemical vapor deposition, the reduction of defects is still a focus of research. In this study, several kinds of surface d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2e91e43a07294ea8bd7eacf81200dada
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 537:14-22
We report findings on the Ion Beam Induced Charge (IBIC) characterization of a 4H-SiC Schottky barrier diode (SBD), in terms of the modification of the Charge Collection Efficiency (CCE) distribution induced by 20 MeV C ions irradiations with fluence
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0c3081783cc7db4ebbbf03668eea3d43
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2023.01.009
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2023.01.009
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.