Zobrazeno 1 - 10
of 2 651
pro vyhledávání: '"4H silicon carbide"'
Autor:
Steidl, Timo, Kuna, Pierre, Hesselmeier-Hüttmann, Erik, Liu, Di, Stöhr, Rainer, Knolle, Wolfgang, Ghezellou, Misagh, Ul-Hassan, Jawad, Schober, Maximilian, Bockstedte, Michel, Gali, Adam, Vorobyov, Vadim, Wrachtrup, Jörg
Nanoelectrical and photonic integration of quantum optical components is crucial for scalable solid-state quantum technologies. Silicon carbide stands out as a material with mature quantum defects and a wide variety of applications in semiconductor i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.09021
The existing silicon-carbide-on-insulator photonic platform utilizes a thin layer of silicon dioxide under silicon carbide to provide optical confinement and mode isolation. Here, we replace the underneath silicon dioxide layer with a 1-$\mu$m-thick
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.04026
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Applied Bio Materials; 10/25/2024, Vol. 7 Issue 10, p2165-2174, 10p
Autor:
Huang, Yuanchao1,2 (AUTHOR), Wang, Rong2 (AUTHOR), Yang, Deren1,2 (AUTHOR), Pi, Xiaodong1,2 (AUTHOR) xdpi@zju.edu.cn
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 5/21/2024, Vol. 135 Issue 19, p1-10. 10p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Communications Engineering, Vol 3, Iss 1, Pp 1-9 (2024)
Abstract Inertial navigation on a chip has long been constrained by the noise and stability issues of micromechanical Coriolis gyroscopes, as silicon, the dominant material for microelectromechanical system devices, has reached the physical limits of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3f3d83c0c60d47099729f9032f51376a
Autor:
LI Guofeng1,2, CHEN Hongyu1, HANG Wei1, HAN Xuefeng2,3, YUAN Julong1 jlyuan@zjut.edu.cn, PI Xiaodong2,3 xdpi@zju.edu.cn, YANG Deren2,3, WANG Rong2,3 rong_wang@zju.edu.cn
Publikováno v:
Journal of Synthetic Crystals. Nov2023, Vol. 52 Issue 11, p1907-1921. 15p.