Zobrazeno 1 - 10
of 636
pro vyhledávání: '"4H–SiC epitaxial layer"'
Autor:
Zhuorui Tang, Shibo Zhao, Jian Li, Yuanhui Zuo, Jing Tian, Hongyu Tang, Jiajie Fan, Guoqi Zhang
Publikováno v:
Case Studies in Thermal Engineering, Vol 59, Iss , Pp 104507- (2024)
This work addresses a novel technique for selecting the best process parameters for the 4H–SiC epitaxial layer in a horizontal hot-wall chemical vapor reactor using a transient multi-physical (thermal-fluid-chemical) simulation model and combined w
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/173aa09a172844379ca29aa739baf492
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tang, Zhuorui, Gu, Lin, Jin, Lei, Dai, Kefeng, Mao, Chaobin, Wu, Sanzhong, Zhang, Rongwei, Yang, Jinsong, Ying, Jianguo, Fan, Jiajie, Ma, Hongping, Zhang, Guoqi
Publikováno v:
In Materials Today Communications March 2024 38
Autor:
Calabretta, Cristiano, Piluso, Nicolo, Bongiorno, Corrado, Boninelli, Simona, La Via, Francesco, Severino, Andrea
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 359 Issue: 1 p7-11, 5p
Autor:
Zaťko, Bohumír, Hrubčín, Ladislav, Šagátová, Andrea, Osvald, Jozef, Boháček, Pavol, Kováčová, Eva, Halahovets, Yuriy, Rozov, Sergey V., Sandukovskij, V.G.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 January 2021 536
Autor:
Harada, Shunta1,2 (AUTHOR) shunta.harada@nagoya-u.jp, Mii, Toshiki3 (AUTHOR), Sakane, Hitoshi4 (AUTHOR), Kato, Masashi3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Scientific Reports. 8/15/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-8. 8p.
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 12, Iss 1, Pp 1-8 (2022)
Abstract SiC bipolar degradation, which is caused by stacking fault expansion from basal plane dislocations in a SiC epitaxial layer or near the interface between the epitaxial layer and the substrate, is one of the critical problems inhibiting wides
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/25ffa253c1ab46e0922a7175dcc98ec1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 11, Iss 3, p 254 (2020)
Advances towards achieving the goal of miniature 4H-SiC based radiation detectors for harsh environment application have been studied extensively and reviewed in this article. The miniaturized devices were developed at the University of South Carolin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ac975ebaad5849028003acc7399437a4
Autor:
Na, Moonkyong1 (AUTHOR) nmk@keri.re.kr, Bahng, Wook1 (AUTHOR), Jang, Hyemin1,2 (AUTHOR), Kim, Jung Min3 (AUTHOR), Jung, Hyundon3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 6/28/2021, Vol. 129 Issue 24, p1-8. 8p.