Effect of Doping Density on the Charge Rearrangement and Interface Dipole at the Molecule-Silicon Interface

Autor: Ayelet Vilan, Omer Yaffe, Han Zuilhof, David Cahen, Hagai Cohen, Antoine Kahn, Sidharam P. Pujari, Leeor Kronik, Ofer Sinai

Publikováno v: The Journal of Physical Chemistry Part C: Nanomaterials and Interfaces 117 (2013) 43
The Journal of Physical Chemistry Part C: Nanomaterials and Interfaces, 117(43), 22422-22427

The interface level alignment of alkyl and alkenyl monolayers, covalently bound to oxide-free Si substrates of various doping levels, is studied using X-ray photoelectron spectroscopy. Using shifts in the C 1s and Si 2p photoelectron peaks as a sensi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a4389466b1f565320e1bd7be8bae9949
https://research.wur.nl/en/publications/effect-of-doping-density-on-the-charge-rearrangement-and-interfac

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.