Zobrazeno 1 - 10
of 88 305
pro vyhledávání: '"4.2 k"'
Autor:
Neul, Malte, Sprave, Isabelle V., Diebel, Laura K., Zinkl, Lukas G., Fuchs, Florian, Yamamoto, Yuji, Vedder, Christian, Bougeard, Dominique, Schreiber, Lars R.
Si/SiGe heterostructures are of high interest for high mobility transistor and qubit applications, specifically for operations below 4.2 K. In order to optimize parameters such as charge mobility, built-in strain, electrostatic disorder, charge noise
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.06267
Autor:
Mouny, Pierre-Antoine, Dawant, Raphaël, Galaup, Bastien, Ecoffey, Serge, Pioro-Ladrière, Michel, Beilliard, Yann, Drouin, Dominique
The exploration of memristors' behavior at cryogenic temperatures has become crucial due to the growing interest in quantum computing and cryogenic electronics. In this context, our study focuses on the characterization at cryogenic temperatures (4.2
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2307.15538
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Paidpilli, Mahesh, Goel, Chirag, Sarangi, Bhabesh, Chen, Siwei, Galstyan, Eduard, Jaroszynski, Jan, Bradford, Griffin, Abraimov, Dmytro, Selvamanickam, Venkat
Publikováno v:
In Superconductivity March 2024 9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zeng, Bolun, Zhang, Haochen, Xiang, Zikun, Luo, Chao, Zhang, Yuanke, Weng, Mingjie, Xue, Qiwen, Hu, Sirui, Sun, Yue, Yang, Lei, Sun, Haiding, Guo, Guoping
The cryogenic performance of GaN-based HEMTs (high-electron-mobility transistors) is systematically investigated by the direct current (DC) and low-frequency noise (LFN) characteristics within the temperature (T) range from 300 K to 4.2 K. The import
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.09216
Autor:
Wang, Weijun, Zhao, Chuanyi, Jin, Jing, Shi, Jinhao, Tu, Zhengping, Chen, Xiaowei, Huang, Chuanjun, Li, Laifeng, Li, Jiangang, Qin, Jinggang
Publikováno v:
In Nuclear Materials and Energy September 2023 36