Zobrazeno 1 - 10
of 1 910
pro vyhledávání: '"3C-SiC"'
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-13 (2024)
Abstract To study the effect of polycrystalline 3C-SiC rough friction surface on the mechanism of subsurface brittleness during nanocrystalline grinding. Initial grinding models of polycrystalline 3C-SiC and diamond abrasive grains on rough friction
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/347553b0770d4510a5f239e6da7f7854
Publikováno v:
Functional Diamond, Vol 4, Iss 1 (2024)
Integrating diamonds with GaN presents a promising solution for enhancing heat dissipation. However, a critical challenge lies in developing an engineering substrate that facilitates the growth of high-quality GaN epitaxial layers, enabling the produ
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/161901d6e7624e63aea2a5f90ded52a8
Autor:
Thi Lap Tran, Duy Van Nguyen, Hung Nguyen, Thi Phuoc Van Nguyen, Pingan Song, Ravinesh C Deo, Clint Moloney, Viet Dung Dao, Nam‐Trung Nguyen, Toan Dinh
Publikováno v:
Advanced Sensor Research, Vol 3, Iss 8, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract In human life, respiration serves as a crucial physiological signal. Continuous real‐time respiration monitoring can provide valuable insights for the early detection and management of several respiratory diseases. High‐sensitivity, noni
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f1bf2a302e934857b6bd0ee129b213a2
Publikováno v:
He jishu, Vol 47, Iss 7, Pp 070502--070502- (2024)
Background3C-SiC (β-SiC) exhibits outstanding electrochemical properties and radiation resistance, surpassing hexagonal-phase silicon carbide in irradiation resistance. As a promising candidate for the next generation of structural materials in nucl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/54e88ba705e1477193c5107546fe3f54
Autor:
Bo Zhu, Dan Zhao, Zhijie Zhang, Yihan Niu, Zhenqiao Zhang, Jiucheng Zhao, Shunbo Wang, Hongwei Zhao
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 28, Iss , Pp 2636-2647 (2024)
3C silicon carbide (3C-SiC) has great potential and value for innovated high-precision devices. However, the high hardness make it a daunting task to understand its deformation behavior and anisotropy effect, which impedes its processing and applicat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/01d74ff2a16c43cfb5616b68e62d1c89
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mietek Bakowski, Adolf Schöner, Per Ericsson, Helena Strömberg, Hiroyuki Nagasawa, Masayuki Abe
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 2 (2023)
The paper reviews the development of the 3C-SiC MOSFETs in a unique development project combining the material and device expertise of HAST (Hoya Advanced Semiconductor Technologies) and Acreo, respectively. The motivation for the development of the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dad5163e3c7c49e2bd7efe43f00288cb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.