Zobrazeno 1 - 10
of 2 097
pro vyhledávání: '"2deg"'
Autor:
Naeemul Islam, Mohamed Fauzi Packeer Mohamed, Norhawati Ahmad, Muammar Mohamad Isa, Alhan Farhanah Abd Rahim, Khaled Ahmeda
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 36447-36456 (2024)
An analytical model for depletion-mode MOSHEMTs for high-temperature applications is compared against the experimental GaN HEMT data of the AlGaN/GaN MOSHEMT for temperature dependence of 2DEG simulated at 75 °C and 125 °C. Both temperatures reduce
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/67c82442aac946c19b0d01e74a8e4d0f
Autor:
Ying Ma, Lin Shi, Liang Chen, Cai Chen, Yifang Hong, Hua Qin, Xiaodong Zhang, Yi Cui, Hongzhen Lin, Zhiqun Cheng, Fan Zhang, Linfeng Mao, Yong Cai
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 14, p 1211 (2024)
AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) are widely used in high-frequency and high-power applications owing to the high two-dimensional electron gas (2DEG) concentration. However, the microscopic origin of the 2DEG remains unclear. This
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/348a2d453b4e430a82d77f1d4168f8a5
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 10, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Oxide‐based 2D electron gases (2DEGs) have generated significant interest due to their potential for discovering novel physical properties. Among these, 2DEGs formed in KTaO3 stand out due to the recently discovered crystal face‐dependen
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d602d6792aaa47118bbfdab2371e20fe
Autor:
Procopios Constantinou, Taylor J. Z. Stock, Eleanor Crane, Alexander Kölker, Marcel vanLoon, Juerong Li, Sarah Fearn, Henric Bornemann, Nicolò D'Anna, Andrew J. Fisher, Vladimir N. Strocov, Gabriel Aeppli, Neil J. Curson, Steven R. Schofield
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 10, Iss 27, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Two‐dimensional dopant layers (δ‐layers) in semiconductors provide the high‐mobility electron liquids (2DELs) needed for nanoscale quantum‐electronic devices. Key parameters such as carrier densities, effective masses, and confineme
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/acd2b3ebc3554f5c82ff361fea97d2b1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.