Zobrazeno 1 - 10
of 692
pro vyhledávání: '"2d plasmon"'
Autor:
Muravev, V. M., Gusikhin, P. A., Zarezin, A. M., Andreev, I. V., Gubarev, S. I., Kukushkin, I. V.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 241406 (2019)
A new electromagnetic plasma mode has been discovered in the hybrid system formed by a highly conductive gate strip placed in proximity to the two-dimensional electron system. The new plasmon mode propagates along the gate strip with no potential nod
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1905.00063
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xiaoyun Liu, Baoyuan Man, Pingxin Xiong, Chao Zhang, Minghong Wang, Tingyin Ning, Saisai Gao, Yanyan Huo, Shouzhen Jiang
Publikováno v:
RSC Advances. 6:81757-81762
In this paper, we designed a 2D distance and rotation angle plasmon ruler based on Fano resonance of a trimer nanostructure, which consists of a concentric square nanoring–disk and an outside nanorod (CSRDR). The Fano dip energy and depth are fairl
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Nanoscience. :191-195
The method of photoyield spectroscopy with s- and p-polarized light excitation is developed for studies of 2D collective modes. The formation of nanoclusters has been studied for the Cs / GaAs (100) Ga -rich interface in a wide coverage range up to ~
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Information and Communication Technology Research, Vol 11, Iss 1, Pp 12-18 (2019)
The two dimensional (2D) plasmon propagation in the channel of a high electron mobility transistor (HEMT) is numerically modeled using the full wave technique. To analyze the proposed structure, the Maxwell’s equations are solved inconjuction to th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8c4da08eae9541ba8bc62952d3befe66