Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"2T-MD model"'
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 53, Iss 7, Pp 2357-2363 (2021)
Silicon carbide is widely used in radiation environments due to its excellent properties. However, when exposed to the strong radiation environment constantly, plenty of defects are generated, thus causing the material performance downgrades or failu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/92df6e7e51fa4e02a93117e25343f243
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 53, Iss 7, Pp 2357-2363 (2021)
Silicon carbide is widely used in radiation environments due to its excellent properties. However, when exposed to the strong radiation environment constantly, plenty of defects are generated, thus causing the material performance downgrades or failu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3f9e8586491d685902d1ff1dac26e3cf
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1738573321000383
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1738573321000383
We present a numerical study on swift ion induced effects in crystalline 3C silicon carbide (SiC) by the two-temperature model, which considering the electronic stopping and electronic-phonon coupling effects simultaneously. Given the results of over
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::64aee8ce3867edea9fcd040f30a7a5f4
http://hdl.handle.net/10138/336455
http://hdl.handle.net/10138/336455
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.