Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"2D materials ferroelectricity"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mircea Dragoman, Adrian Dinescu, Andrei Avram, Daniela Dragoman, Silviu Vulpe, Martino Aldrigo, Tudor Braniste, Victor Suman, Emil Rusu, Ion Tiginyanu
Publikováno v:
Nanotechnology
In this paper, we present for the first time a field-effect-transistor (FET) having a 10 nm thick tin sulfide (SnS) channel fabricated at the wafer scale with high reproducibility. SnS-based FETs are in on-state for increasing positive back-gate volt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1077d01dc12a5eda9066fffe68d116c5
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac7cf8
https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac7cf8
