Zobrazeno 1 - 10
of 1 116
pro vyhledávání: '"28 nm FDSOI"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Engineering Science and Technology, an International Journal, Vol 57, Iss , Pp 101821- (2024)
A novel solution of the first-order asynchronous delta–sigma modulator (ADSM) is proposed. The circuit is designed for the commercial temperature range (0 °C to 70 °C) in a 28 nm fully depleted silicon on insulator (FD-SOI) technology from STMicr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/05404694dbee472b8dddf07be197c7e6
Publikováno v:
In Microelectronics Journal August 2023 138
Autor:
Xuejing Yang, Kyounghoon Yang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 993-1002 (2024)
In this paper, we report on newly introduced direct extraction methods applied for determining the extrinsic parasitic capacitances and inductances in RF test structures of Fully-Depleted-Silicon-On-Insulator (FDSOI) MOSFETs with a 28 nm gate length.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a9738ff40a3545739f5b7a20ccde9355
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2021 126
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability November 2021 126
Autor:
Shi, S.-T., Liu, R., Evans, A., Li, X.-T., Zheng, Y.-L., Chen, L., Glorieux, M., Sanchez, A.J., Wong, R., Wen, S.-J., Cunha, J., Guo, G., Ferlet-Cavrois, V., Summerer, L., Entrena, L.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability August 2021 123
Autor:
Kledrowetz, Vilem1 (AUTHOR) kledrowetz@vut.cz, Prokop, Roman1 (AUTHOR), Fujcik, Lukas1 (AUTHOR), Haze, Jiri1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Sensors (14248220). Apr2023, Vol. 23 Issue 7, p3422. 20p.