Zobrazeno 1 - 10
of 378
pro vyhledávání: '"1T-TaS2"'
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 3, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Here, the formation of type‐I and type‐II electronic junctions with or without any structural discontinuity along a well‐defined 1 nm‐wide 1D electronic channel within a van der Waals layer is reported. Scanning tunneling microscopy
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a84416821ad14cae88efcaa251b90e13
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Informacije MIDEM, Vol 51, Iss 3, Pp 157-167 (2021)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2627369314da47018e35b4188ba7441b
Controllable Synthesis and Charge Density Wave Phase Transitions of Two-Dimensional 1T-TaS2 Crystals
Autor:
Xiaoguang Pan, Tianwen Yang, Hangxin Bai, Jiangbo Peng, Lujie Li, Fangli Jing, Hailong Qiu, Hongjun Liu, Zhanggui Hu
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 11, p 1806 (2023)
1T-TaS2 has attracted much attention recently due to its abundant charge density wave phases. In this work, high-quality two-dimensional 1T-TaS2 crystals were successfully synthesized by a chemical vapor deposition method with controllable layer numb
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/07b7c64812e04826bcc332ad71555ac6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
MRAZ, ANŽE
V tem delu se osredotočimo na raziskovanje različnih vidikov obratovanja konceptualno edinstvenega nevolatilnega pomnilniškega elementa na podlagi ureditve naboja (ang. charge configuration memory-CCM), ki temelji na preklapljanju med dvema uporov
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3505::f4a177c01a25a455cb4cba77a08936df
https://repozitorij.uni-lj.si/IzpisGradiva.php?id=147081
https://repozitorij.uni-lj.si/IzpisGradiva.php?id=147081
Controllable Synthesis and Charge Density Wave Phase Transitions of Two-Dimensional 1T-TaS2 Crystals
Autor:
Hu, Xiaoguang Pan, Tianwen Yang, Hangxin Bai, Jiangbo Peng, Lujie Li, Fangli Jing, Hailong Qiu, Hongjun Liu, Zhanggui
Publikováno v:
Nanomaterials; Volume 13; Issue 11; Pages: 1806
1T-TaS2 has attracted much attention recently due to its abundant charge density wave phases. In this work, high-quality two-dimensional 1T-TaS2 crystals were successfully synthesized by a chemical vapor deposition method with controllable layer numb
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::ead231b2fab1b1bb7e5c73170af00162