2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성. (Korean)

Autor: 윤형섭, 민병규, 장성재, 정현욱, 이종민, 김성일, 장우진, 강동민, 임종원, 김완식, 정주용, 김종필, 서미희, 김소수

Publikováno v: Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering & Science / Han-Guk Jeonjapa Hakoe Nonmunji; Apr2019, Vol. 30 Issue 4, p282-285, 4p