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pro vyhledávání: '"電界効果"'
Autor:
安藤, 冬希
0048
甲第22268号
理博第4582号
新制||理||1658(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Science
Kyoto University
DGAM
甲第22268号
理博第4582号
新制||理||1658(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Science
Kyoto University
DGAM
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2433/253104
Publikováno v:
千葉大学教育学部研究紀要 = Bulletin of the Faculty of Education, Chiba University. 65:427-430
[要約] 近年，半導体の高密度化が進み，半導体の動作としての限界点に近づいている。そこで，分子１つで複数の機能を持つと期待されている有機分子材料が１つのブレークスルーとし
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::048af3879a1fe4d41328518672af84aa
https://opac.ll.chiba-u.jp/da/curator/104471/
https://opac.ll.chiba-u.jp/da/curator/104471/
Autor:
水野, 隼翔
0048
甲第21601号
理博第4508号
新制||理||1647(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Science
Kyoto University
DGAM
甲第21601号
理博第4508号
新制||理||1647(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Science
Kyoto University
DGAM
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2433/242639
Supervisor:村田 英幸
先端科学技術研究科
修士（マテリアルサイエンス）
先端科学技術研究科
修士（マテリアルサイエンス）
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::0a6dcf7d31a97449c5afef622057e80c
http://hdl.handle.net/10119/15973
http://hdl.handle.net/10119/15973
Publikováno v:
電気材料技術雑誌. 24(1):16-23
Electrical characteristics of solution-processed top-gate organic field-effect transistors based on different polycrystalline and amorphous organic semiconductors are systematically investigated to show that the field-effect transistors with top-gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::8ca58d4e30d4534417fc0372d7f1bbf1
https://hdl.handle.net/11094/76095
https://hdl.handle.net/11094/76095
本論文では低損失・高速スイッチング動作を実現するうえでエンハンスメントモードGaN-HFETが有する課題を示し、低耐圧領域においても優位性を維持した低損失・高速スイッチングを実
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::9d387c30d4ed6aa600c38048dfca516a
http://hdl.handle.net/10212/2468
http://hdl.handle.net/10212/2468