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pro vyhledávání: '"赵嵩"'
Publikováno v:
Big Data Research (2096-0271). 2023, Vol. 9 Issue 6, p124-136. 13p.
Publikováno v:
Science Technology & Engineering. 2023, Vol. 23 Issue 6, p2411-2418. 8p.
Publikováno v:
Journal of Eastern Liaoning University (Social Sciences). Dec2022, Vol. 24 Issue 6, p63-69. 7p.
Publikováno v:
Tongxin xuebao, Vol , Pp 35-39 (1987)
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https://doaj.org/article/4dc8579711f943fbb38342dc31552af0
Publikováno v:
Guangtongxin yanjiu, Vol , Pp 5-13 (1982)
本文概述了InGaAsP/InP系半导体激光器的结构、制造方法与光电特性。用过冷法制造外延片,用深锌扩散制造窄条结构可以重复做出长距离、大容量光纤通信系统所用的1.2～1.55μm的半导体激光器
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https://doaj.org/article/88a387c2c2fc4a5185a9c0585abfac36
Publikováno v:
Guangtongxin yanjiu, Vol , Pp 15-21 (1985)
本文介绍具有机好的P-N-P-N电流限制的双沟道平面掩埋异质结激光器（DC-PBH LD）。器件正向泄漏电流小于1μA/5V,阈值电流20mA,20℃时的光功率线性输出大于10mW,最大功率输出大于20mW,50℃光功率线
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https://doaj.org/article/868ccd55d29b4bf783bdba136a597504
Publikováno v:
Science Technology & Engineering. 2022, Vol. 22 Issue 22, p9630-9636. 7p.
Autor:
赵嵩山
Publikováno v:
Guangtongxin yanjiu, Vol , Pp 57- (1984)
武汉电信器件工司为了获得低阈值和长寿命的光通信用光源,研制了双沟道平西掩埋异质结激光器,并取得了初步成果。其特性为: 波长:1.31μm;阈值电流:
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https://doaj.org/article/9d89822fedb54427b4fd1d6d6daf9c3f
Publikováno v:
Guangtongxin yanjiu, Vol , Pp 16- (1985)
武汉电信器件公司研制的1.3μm双沟道平面掩埋异质结激光器最近取得新的进展;1.5μmDC—PBHLD也取得初步试验成果。 1.3μmDC—PBHLD,20℃阈值电流最低可达13mA;光功率输出一般为10mW;温度在20～70℃
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https://doaj.org/article/24629c845f95447794f9914d50d68f16
Publikováno v:
Automotive Digest; 2023, Issue 4, p12-17, 6p