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pro vyhledávání: '"結晶成長"'
Publikováno v:
同志社大学ハリス理化学研究報告 = The Harris science review of Doshisha University. 62(1):1-7
電析より絶縁体上への絶縁体の被覆は困難であるが、実現すれば機械・電子産業等で応用範囲の拡大が期待できる。著者らはTiO_2と金属チタンを添加・浸漬させたLiF-KF浴中でAl_2O_3上に電
Publikováno v:
九州大学応用力学研究所技術室 技術室報告. 1:8-14
太陽電池用シリコン結晶の成長において、転位は結晶の品質を低下させる大きな要因である。よって、シリコン結晶の品質の向上には、転位密度の精密な制御が重要である。今回、代表
Publikováno v:
京都教育大学紀要. 135:95-104
Autor:
岸元, 克浩
0048
甲第22844号
工博第4784号
新制||工||1748(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
甲第22844号
工博第4784号
新制||工||1748(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2433/259740
近年、情報化社会の進展に欠かせないキーデバイスである半導体メモリやパワーデバイスにおける電力損失の低減による半導体デバイスの省エネ化に対する期待が高まっている。本研究
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::684f6facc512b660de4f77a664240630
http://hdl.handle.net/10212/2567
http://hdl.handle.net/10212/2567
Autor:
Jinno, Riena
0048
甲第22450号
工博第4711号
新制||工||1736(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
甲第22450号
工博第4711号
新制||工||1736(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2433/253286
Publikováno v:
桐蔭論叢 = Research bulletin, Toin University of Yokohama. 36:163-167