Výsledky vyhledávání

Akademický článek

具有沟槽氧化物和 P^- 屏蔽层的 4H-SiC MPS 的设计与仿真. (Chinese)

Autor: 蔡艺, 汪再兴, 姜佳池, 王林昌, 党超

Publikováno v: Electronic Components & Materials; Sep2024, Vol. 43 Issue 9, p1063-1070, 8p

Akademický článek

4H-SiC SP-MPS 二极管迅回效应的仿真研究. (Chinese)

Autor: 姜佳池, 汪再兴, 保玉璠, 彭华溢, 李尧

Publikováno v: Electronic Components & Materials; Oct2023, Vol. 42 Issue 10, p1221-1226, 6p

Akademický článek

具有多场限环结构的 SiC LDMOS 击穿特性研究. (Chinese)

Autor: 彭华溢, 汪再兴, 高金辉, 保玉璠

Publikováno v: Electronic Components & Materials; Jan2023, Vol. 42 Issue 1, p50-56, 7p

Akademický článek

具有多场限环终端的PiN 二极管反向击穿的研究. (Chinese)

Publikováno v: Electronic Components & Materials; Feb2021, Vol. 40 Issue 2, p119-149, 6p

Akademický článek

6H-SiC 基混合肖特基/ PiN 二极管反向恢复及少子特性研究. (Chinese)

Autor: 刘春娟, 郑丽君, 汪再兴, 穆　洲

Publikováno v: Electronic Components & Materials; oct2020, Vol. 39 Issue 10, p52-82, 8p

Akademický článek

Publikováno v: Journal of Semiconductors; Feb2015, Vol. 36 Issue 2, p1-1, 1p

Akademický článek

Autor: Chunjuan Liu, Zaixing Wang, Yongshun Wang

Publikováno v: Journal of Semiconductors; Aug2014, Vol. 35 Issue 8, p1-1, 1p

Akademický článek

Publikováno v: Journal of Semiconductors; Nov2011, Vol. 32 Issue 11, p1-1, 1p

Vyhledávací nástroje: