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pro vyhledávání: '"多量子阱"'
Publikováno v:
Guangtongxin yanjiu, Vol , Pp 37-39 (2012)
为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路),采用等离子诱导QWI(量子阱混杂)与RTA(快速热退火)技术获
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https://doaj.org/article/0de63de0dcb54dea86919b64b5537138
Publikováno v:
Guangtongxin yanjiu, Vol , Pp 64-66 (2003)
报道了一种主要用作超高速光纤通信光时分复用(OTDM)系统的新型光源,即10GHz的被动外腔式锁模多量子阱半导体激光器,其具有脉冲宽度为2.9ps,波长调谐范围为1.53~1.57μm(40nm),输出光波长
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https://doaj.org/article/f7ec9b4bdbd44382bee1324afae92a6e
Publikováno v:
Guangtongxin yanjiu, Vol , Pp 44-46 (1999)
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,实现了1.31μmAlGaInAs/InP应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在25℃时,管芯最大输出功率超过50mW,阈值电流范围在13~20mA之间,发
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https://doaj.org/article/deccf7cb250d4211857aef624d9685c0