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pro vyhledávání: '"スピンホール効果"'
Publikováno v:
ACS applied materialsinterfaces. 14(18)
The power-dependent transfer characteristics of spin currents generated at the interface of the permalloy/Pt bilayer device have been investigated over a wide power range from a few tens of milliwatt to 396 W. We built a high-power pulse excitation s
Autor:
池渕, 徹也
甲第23716号
理博第4806号
新制||理||1688(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Science
Kyoto University
DGAM
理博第4806号
新制||理||1688(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Science
Kyoto University
DGAM
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2433/275038
Autor:
河口, 真志
0048
甲第19514号
理博第4174号
新制||理||1599(附属図書館)
32550
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Science
Kyoto University
DGAM
甲第19514号
理博第4174号
新制||理||1599(附属図書館)
32550
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Science
Kyoto University
DGAM
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2433/215327
Publikováno v:
科学研究費補助金研究成果報告書.
金属/強磁性体界面におけるスピン流生成とスピン流を介した物性制御に取り組んだ。スピンポンピングを用いたスピン流生成について, 強磁性半導体と金属間のスピン流生成を実証する
Publikováno v:
科学研究費補助金研究成果報告書.
半導体量子ドットに3本以上のリードを接続した多端子系の示す物理現象を理論的に研究した。(1) スピン軌道相互作用がはたらく量子ドット多端子系では、スピンホール効果によってス