Zobrazeno 1 - 10
of 354
pro vyhledávání: '"эпитаксия"'
Autor:
Елена Игоревна Василькова, Евгений Викторович Пирогов, Ксения Юрьевна Шубина, Кирилл Олегович Воропаев, Андрей Андреевич Васильев, Леонид Яковлевич Карачинский, Иннокентий Игоревич Новиков, Олег Вячеславович Баранцев, Максим Сергеевич Соболев
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 26, Iss 3 (2024)
Благодаря широкому спектру применений в ближнем инфракрасном диапазоне и сравнительно высокой обнаружительной способности, pin-фотодио
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b964c3edc143483a9f61ea3c2f1aea89
Autor:
Павел Владимирович Середин, Дмитрий Леонидович Голощапов, Даниил Евгеньевич Костомаха, Ярослав Анатольевич Пешков, Никита Сергеевич Буйлов, Алиса Алексеевна Гайворонская, Андрей Михайлович Мизеров, Сергей Николаевич Тимошнев, Максим Сергеевич Соболев, Евгений Викторович Убыйвовк, Валерий Евгеньевич Земляков, Павел Павлович Куцько, Павел Леонидович Пармон
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 26, Iss 3 (2024)
В работе демонстрируется, что с использованием технологии молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) могут б
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/864994ec202746d7a96afe6b1c3491d2
Autor:
Родион Романович Резник, Владислав Олегович Гридчин, Константин Павлович Котляр, Владимир Владимирович Неплох, Андрей Викторович Осипов, Сергей Арсеньевич Кукушкин, Omar Saket, Maria Tchernycheva, Георгий Эрнстович Цырлин
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)
Данная работа посвящена подтверждению спонтанного легирования GaN нитевидных нанокристаллов, выращенных на вицинальных гибридных подл
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2f60052adcee403d8b310b83689b5678
Autor:
Алексей Николаевич Семенов, Дмитрий Валерьевич Нечаев, Сергей Иванович Трошков, Дарья Сергеевна Березина, Аббас Арва Сауд, Валентин Николаевич Жмерик
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)
Цель статьи – разработка технологии формирования упорядоченных массивов наноколонн (НК) и микрокристаллов GaN методом плазменно-активи
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/22c82bee750c4b72b335ee6836a299ff
Autor:
Павел Николаевич Бутенко, Роман Борисович Тимашов, Андрей Иванович Степанов, Алексей Иванович Печников, Андрей Владимирович Чикиряка, Любовь Игоревна Гузилова, Сергей Иванович Степанов, Владимир Иванович Николаев
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)
Оксид хрома со структурой корунда (a-Cr2O3), обладающий возможностью иметь проводимость p-типа, является привлекательным кандидатом для соз
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b5856803ddef4ae7bf42616c878e687c
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений России: Радиоэлектроника, Vol 0, Iss 5, Pp 28-35 (2017)
Heteroepitaxial silicon-on-sapphire (SOS) wafers with a layer thickness of 200 and 600 nm were fabricated by the vapor phase epitaxy with monosilane as a precursor. The assessment of structural quality of silicon-sapphire interface was carried out by
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9098dd06b70b4ba6af8e195c1e75dd1f
Autor:
Mikhail Removych Dombrougov
Publikováno v:
Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 1 (2019)
Исследуется явление инверсии градиента профиля алюминия в пленках Ga-Al-Nm (Nm=P, As, Sb), наблюдаемое при жидкофазной эпитаксии методом принуди
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/792f1480e7d04d0196b6f1edf65e9ed3
Autor:
Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V.
Publikováno v:
Journal of communications technology and electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308-312
Dark currents in medium-wave nBn structures based on HgCdTe grown with the aid of molecular beam epitaxy on the (013) GaAs substrates are studied. The passivation of the surface of the side walls of the mesastructures is performed using Al2 O3 films
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::634490c2ba16373d2e0ff782303863e3
https://doi.org/10.1134/s1064226922030172
https://doi.org/10.1134/s1064226922030172
Autor:
Lozovoy, Kirill A., Dirko, Vladimir V., Vinarskiy, Vladimir P, Kokhanenko, Andrey P., Voytsekhovskiy, Alexander V., Akimenko, Nataliya Yu.
Publikováno v:
Russian physics journal. 2022. Vol. 64, № 9. P. 1583-1591
Two-dimensional materials have become one of the central research topics of scientists around the world after the production of graphene - a monatomic layer of carbon. Currently, two-dimensional crystals are among the most promising materials for nex
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::10107054d74239438130510c21b5cf82
https://doi.org/10.1007/s11182-022-02495-7
https://doi.org/10.1007/s11182-022-02495-7
Autor:
Bondarenko, Dariya, Gridchin, Vladislav, Kotlyar, Konstantin, Reznik, Rodion, Kirilenko, Demid, Baranov, Artem, Dragunova, Anna, Kryzhanovskaya, Natalia, Maksimova, Alina, Cirlin, George
An approach to the fabrication of LED structure based on GaN nanowires with thick core-shell InGaN insertions with high indium content is studied. The results of optical measurements demonstrate the photoluminescence from the InGaN insertions in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c05fd4d4cd926a0fd604e9c53620845
