Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"фоточутливість"'
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 20 No. 2 (2023); 10-18
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 20 № 2 (2023); 10-18
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 20 № 2 (2023); 10-18
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 20 № 2 (2023); 10-18
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 20 № 2 (2023); 10-18
A photosensitive graphene field-effect transistor was created by depositing a reduced graphene oxide (rGO) film on the surface of the SiO2 layer on a silicon substrate, which serves as both a photosensitive medium and the field-effect transistor gate
Методом низькотемпературного спрей-піролізу виготовлено фоточутливі гетеропереходи Mn2O3/nInSe. На нагріту підкладку з шаруватого кристал
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::6389d64392a27c7eb206ab29fc8a16ea
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91482
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91482
Publikováno v:
Data Recording, Storage & Processing; Vol. 24 No. 1 (2022); 3-12
Регистрация, хранение и обработка данных; Том 24 № 1 (2022); 3-12
Реєстрація, зберігання і обробка даних; Том 24 № 1 (2022); 3-12
Регистрация, хранение и обработка данных; Том 24 № 1 (2022); 3-12
Реєстрація, зберігання і обробка даних; Том 24 № 1 (2022); 3-12
Current approaches used in the implementation and optimization of modern photorecording systems are considered. An analysis of the factors leading to a decrease in photosensitivity and a violation of the color balance of the photomatrix was carried o
В роботі проведено дослідження електричних та фотоелектричних властивостей гетероструктури n-Zn0.5Cd0.5O/p-InSe. Плівка Zn0.5Cd0.5O наносилась на пі
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::332645b8c1a78b3eae419e4a14bf3706
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85948
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85948
Autor:
Обухова, Тетяна Юріївна
Дипломна робота присвячена фоточутливим органічно-неорганічним структурам на основі меланіну. Метою роботи є дослідити зразки і виясн
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::395ee2564588c91a6a986fcf09824bb5
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42297
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42297
Мета кваліфікаційної роботи магістра полягала у аналізі результатів та вивченні явища фотоефекту у тонких напівпровідникових плівках
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::90a9fa53db10c5fb1c9358bfd72cfe95
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82012
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82012
Autor:
V. M. Vodopyanov, V. M. Kaminskii, A. V. Zaslonkin, P. I. Savitskii, V. B. Boledzyuk, M. V. Zapolovskyi
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 13:04020-1
В роботі приведені результати досліджень композитних матеріалів та структур, виготовлених на основі шаруватих напівпровідників та гра
Autor:
Королюк, Дмитро Володимирович
Дипломна робота викладена на 50 сторінках, вона містить 4 розділи, 10 ілюстрацій, 6 таблиць і 9 джерел в списку посилань. Мета роботи – дослі
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::a5b517783e8ed3fbfb1456d35ae3664f
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28864
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28864
Autor:
Іващук, Анатолій Васильович
Роботу викладено на 128 сторінках, вона містить 4 розділи, 102 ілюстрації, 10 таблиць і 36 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження є т
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::95589c918c736a6e0911f2680252fd68
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/27712
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/27712
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 15, № 2 (2018); 13-19
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 15, № 2 (2018); 13-19
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 15, № 2 (2018); 13-19
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 15, № 2 (2018); 13-19
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 15, № 2 (2018); 13-19
The photocurrent spectra of structures obtained by vacuum deposition of semitransparent Ni layers on the chemically etched substrates of a number of semiconductors (Si, GaAs, GaP, CdTe, and ZnSe) of n-type conductivity are analyzed. All structures ha