Zobrazeno 1 - 10
of 119
pro vyhledávání: '"фотодиод"'
Publikováno v:
Eurasian Physical Technical Journal; 2024, Vol. 21 Issue 3, p81-92, 12p
В рамках данной работы было проведено исследование по получению PIN-фотодиодов ИК-диапазона, сформированных на пластинах, содержащих гет
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::180eed152b7760281d5a42b61c7ba7cc
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 10:04019-1
Досліджено та проаналізовано фактори, що впливають на час виникнення фотодіоду. Використовуючи отримані результати, був розроблений фо
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::05706d52a547d275f481e42e8a1b338d
https://doi.org/10.21272/jnep.10(4).04019
https://doi.org/10.21272/jnep.10(4).04019
Publikováno v:
Вестник Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого.
Приведены сведения о технологии получения и свойствах кремниевого фотоприемника, полученного мелкой имплантацией мышьяка на глубину 0,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806::2be8f89fb96de65eaa01c84c12c64e36
http://cyberleninka.ru/article/n/shirokodiapazonnyy-kremnievyy-fotodiod
http://cyberleninka.ru/article/n/shirokodiapazonnyy-kremnievyy-fotodiod
Publikováno v:
Журнал технической физики. 52:1636
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::912547eefb655e8e11f2c408a755f913
https://doi.org/10.21883/ftp.2018.13.46879.8864
https://doi.org/10.21883/ftp.2018.13.46879.8864
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. 49:76-80
Предложен фотодиод на основе pAlInGaAs–nGaAs–m-переходов. Высокая фоточувствительность в нем достигается в режиме прямого смещения p–n-гетер
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::749136283034b571d73728b749f2964e
https://doi.org/10.20535/s0021347006020117
https://doi.org/10.20535/s0021347006020117
Publikováno v:
Журнал технической физики. 87:315
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a0a15239733afa9a6c05fd7ce7f57eec
https://doi.org/10.21883/jtf.2017.02.44146.1791
https://doi.org/10.21883/jtf.2017.02.44146.1791
В работе рассматривается конструкция и спектральная характеристика кремниевого фотодиода с профилированным n-i-p переходом. Его особенн
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2402::799a98813b73a700a1b3d5ce4123171d
http://rep.bntu.by/handle/data/14775
http://rep.bntu.by/handle/data/14775
Создание фотодиодов, совместимых с кремниевой технологией интегральных микросхем при сохранении повышенных значений спектральной чув
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1594::f481ee33f87de487868c851c50e94e5d
http://elib.bsu.by/handle/123456789/48797
http://elib.bsu.by/handle/123456789/48797
Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-ба
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::c66747fd79ec384e8335453573f3ecc2
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51709
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51709