Zobrazeno 1 - 10
of 340
pro vyhledávání: '"транзистор"'
Publikováno v:
Науковий вісник НЛТУ України, Vol 32, Iss 1 (2022)
Розроблено апаратне та програмне забезпечення стабілізатора змінної напруги з мікроконтролерним управлінням на платформі Arduino. Розроб
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d04c8232eba846269cb2faf8243705e7
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 3, Pp 311-317 (2019)
In this paper, the structure of GaAs FET on a silicon substrate, suitable for local integration in the local SOItechnologyand the method of its electrophysical diagnostics based on changes in the thermal resistance (RT), isanalyzed. It is known [3,4]
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b52e1eb84f464bfe8decc0de638ed432
Autor:
K. V. Melnikov, V. A. Melnikov
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7, Pp 87-91 (2019)
Results of switching velocity performance improvement for high voltage switches based on MOSFTEs are presented. Parameters of developed Q-switch driver for femtosecond laser pulse picker to use at remote spectrometric control laser radiation unit are
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d6e96a94fb5848feab1ecfdfe19bb79d
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 8, Pp 11-17 (2019)
A new approach of nanoscale MOSFETs electrical characteristics calculating, the essence of which is the use of correction factors, as well as such values of classic drift-diffusion models, which would effectively take into account the quantum-mechani
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5d0865fb937d481cb3d00d32941ef6ba
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7, Pp 21-27 (2019)
Current-voltage characteristics of MOSFET are obtained by computer simulation and their analysis is performed. The inadequacy of the classical models for simulation of nanoscale structures is revealed, as well as the unsuitability methods of direct q
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/898451cf7fd84dc3a7acd771d69738b2
Autor:
A. M. Borovik
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 1, Pp 12-17 (2019)
Using the methodology of screening experiments the most significant parameters of the Darwish mobility model are identified. The possibility of optimizing the drift-diffusion model in order to achieve the adequacy of the simulation results of nanosca
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/867d262649f242db9dba45a3da1349f2
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7, Pp 99-105 (2019)
The development and research of new constructive solutions, materials and technologies for sensor systems production is an actual problem. The transistor with high electron mobility (HEMT) is increasingly being used in such systems. The device-techno
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3f262c1746e94d25871815a4af81eea7
Publikováno v:
Biomedicinskaâ Inženeriâ i Èlektronika, Vol 0, Iss 1 (2020)
Для позбавлення від всякого роду недуг периферичної та центральної нервової системи, порушень функціонування травних органів, хронічн
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/13f90efc505f46e7b270bd12302eecbd
Publikováno v:
Biomedicinskaâ Inženeriâ i Èlektronika, Vol 0, Iss 1 (2020)
В організмі людини все тримається на електронних зв'язках атомів, електронів, протонів і т.ін. Але організм людини ще й сам виробляє елек
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/31adbf9e567746cd95917e8b0c0b022e
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 20 No. 2 (2023); 10-18
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 20 № 2 (2023); 10-18
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 20 № 2 (2023); 10-18
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 20 № 2 (2023); 10-18
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 20 № 2 (2023); 10-18
A photosensitive graphene field-effect transistor was created by depositing a reduced graphene oxide (rGO) film on the surface of the SiO2 layer on a silicon substrate, which serves as both a photosensitive medium and the field-effect transistor gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::f0ba8aac443ffb2b250737000c04e864
http://semst.onu.edu.ua/article/view/278625
http://semst.onu.edu.ua/article/view/278625