Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"теплофізична модель"'
Дисертаційна робота на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.11.13 - прилади і методи контролю та визнач
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3033::f9738ec89d9e2cc9570bee7b5c394797
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/40777
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/40777
Autor:
Furtat, Iryna, Kravchuk, Oleh
Publikováno v:
Ventilation, Illumination and Heat Gas Supply; № 21 (2017): Ventyliatsiia, Osvitlennia ta Teplohazopostachannia; 69-74
Вентиляція, освітлення та теплогазопостачання; № 21 (2017): Ventyliatsiia, Osvitlennia ta Teplohazopostachannia; 69-74
Вентиляція, освітлення та теплогазопостачання; № 21 (2017): Ventyliatsiia, Osvitlennia ta Teplohazopostachannia; 69-74
In this article, there are geometric model of geothermal porous layer, basic assumptions that accept computational similar systems and thermophysical model of motion and heat transfer of fluids in porous solids. The geometrical model of the layer is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::aabae76048b2b70b039346c7f35c9d6b
http://vothp.knuba.edu.ua/article/view/168420
http://vothp.knuba.edu.ua/article/view/168420
Publikováno v:
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 5, № 8(71) (2014): Energy-saving technologies and equipment; 58-65
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 5, № 8(71) (2014): Энергосберегающие технологии и оборудование; 58-65
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 5, № 8(71) (2014): Енергозберігаючі технології та обладнання; 58-65
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 5, № 8(71) (2014): Энергосберегающие технологии и оборудование; 58-65
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 5, № 8(71) (2014): Енергозберігаючі технології та обладнання; 58-65
The study of the temperature field of power semiconductor devices, operating in semiconductor apparatuses, either non-contact or hybrid was carried out in the paper.It was also shown that the main mode of the current load of power semiconductor devic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::cedba47bb3e24e8f3fc85544af914862
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/27983
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/27983