Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"структурні дефекти"'
Publikováno v:
Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ; № 11 (2021): Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ; 48-58
Scientific works of the Faculty of Physics and Mathematics of Donbas State Pedagogical University; No. 11 (2021): Scientific works of the faculty of physics and mathematics of Donbas State Pedagogical University; 48-58
Scientific works of the Faculty of Physics and Mathematics of Donbas State Pedagogical University; No. 11 (2021): Scientific works of the faculty of physics and mathematics of Donbas State Pedagogical University; 48-58
In the work it is systematized the most commonly used methods of investigation of semiconducting structures of low dimension (from micrometer units till tens of nanometers), that allow qualitatively and quantitively to distinguish their traditional a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::c835624a15e7af7ad0b0ad6bca8bde9d
http://znpfizmat.ddpu.edu.ua/article/view/234828
http://znpfizmat.ddpu.edu.ua/article/view/234828
Publikováno v:
Photoelectronics; № 21 (2012); 5-12
The method is created for nondestructive control of structure defects in semiconductors plates, which determines the integral density of structure defects, their distribution and the broken layer from the internal friction difference of free elastic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::6c9b27aa5f170ffc4913529c7683f8c3
http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/205222
http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/205222
Autor:
Volodymyrska St., Kyiv, Ukraine, Vasyl Kuryliuk, M. P. Kulish, A. P. Onanko, Y. A. Onanko, D. V. Charnyi, T. M. Pinchuk-Rugal, A. M. Kuryliuk, O. P. Dmytrenko
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 13:05017-1
Вимірювання температурних залежностей внутрішнього тертя (ВТ) проводилося на ідентичних, що пройшли один i той же технологічний маршрут
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3d092d4fef2b9cc8050b3f7fa5cd989e
https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05017
https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05017
Вивчений вплив температурного відпалу на форму спектрів ЯКР 115In в InSe. Показано, що з поетапним зниженням температури відпалу стабілізує
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::cb5bbb166b4ebeb24cd51aa877e61b6e
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65754
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65754
У роботі вивчено вплив слабкого стаціонарного магнітного поля на кінетику спаду фото-ЕРС в кристалах «сонячного» кремнію (solar-Si) з нанон
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::1ea950cdc5e7b8ae009c4389c377d386
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41479
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41479
Publikováno v:
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12(66) (2013): Physical and technological problems of radio engineering devices, telecommunication, nano-and microelectronics; 54-57
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12(66) (2013): Физико-технологические проблемы радиотехнических устройств, средств телекоммуникаций, нано-и микроэлектроники; 54-57
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано-і мікроелектроніки; 54-57
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12(66) (2013): Физико-технологические проблемы радиотехнических устройств, средств телекоммуникаций, нано-и микроэлектроники; 54-57
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано-і мікроелектроніки; 54-57
Досліджено спектри ЯКР 113,115In (ядерний спін І = 9/2) в кристалах InSe вирощених з розплаву. Спектри записані на імпульсному радіоспектрометрі
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::ff442bb80e3999da3fb4f65dd1fd08b5
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/19692
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/19692
Publikováno v:
Electronics and Communications; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Электроника и Связь; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Электроника и Связь; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Schottky diodes are used in many fields of electronics as pulse rectifier diodes. Manufacturing Schottky diode with a guard ring allows to significantly improve the protection of the metal-semiconductor transition from a possible flashover. Existing
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::cec86eb87ac9d85f0b624d8d0bd0cd22
http://elc.kpi.ua/old/article/view/155914
http://elc.kpi.ua/old/article/view/155914
Publikováno v:
Electronics and Communications: научно-технический журнал
Діоди Шотткі використовуються в багатьох областях електроніки в якості випрямних та імпульсних діодів. Технологія виготовлення діода
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::8da231ceb368ee928e6177792e624eab
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/5796
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/5796
Publikováno v:
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12(60) (2012): Sensory semiconductor devices; 40-43
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорные полупроводниковые приборы; 40-43
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорні напівпровідникові пристрої; 40-43
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорные полупроводниковые приборы; 40-43
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорні напівпровідникові пристрої; 40-43
Представлені спектри ЯКР 115In в кристалах InSe вирощених з розплаву, записані неперервним методом для чотирьох резонансних переходів 115In з
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::06e6a18f237907a0e5e0a19ee7606ab5
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6027
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6027
Autor:
Кушнір, O. C., Гірник, I. C.
Publikováno v:
Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 30 (2011); 91-97
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 30 (2011); 91-97
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 30 (2011); 91-97
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 30 (2011); 91-97
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 30 (2011); 91-97
Basing on dilatometric measurements along the principal directions x and z, we have obtained quantitative characteristics of thermal expansion in non-stoichiometric lead germanate crystals grown with a deficit of PbO, for a wide temperature region, i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::8950aeb7c45056e96b2693a4bd1f5437
http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/132144
http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/132144