Фотоелектричні властивості гетеропереходу Mn2O3/n-InSe

Autor: Tkachuk, I.G., Orletskii, I.G., Ivanov, V.I., Kovalyuk, Z.D., Zaslonkin, A.V., Netyaga, V.V.

Методом низькотемпературного спрей-піролізу виготовлено фоточутливі гетеропереходи Mn2O3/nInSe. На нагріту підкладку з шаруватого кристал�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::6389d64392a27c7eb206ab29fc8a16ea
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91482

Photoelectric and Electrical Properties of Composite Materials Based on n-InSe and Graphite

Autor: V. M. Vodopyanov, V. M. Kaminskii, A. V. Zaslonkin, P. I. Savitskii, V. B. Boledzyuk, M. V. Zapolovskyi

Publikováno v: Journal of Nano- and Electronic Physics. 13:04020-1

В роботі приведені результати досліджень композитних матеріалів та структур, виготовлених на основі шаруватих напівпровідників та гра

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1f9db3581b7c6bf902c7d46eca73b98a
https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04020

InSe Crystals Obtained by Stoichiometric Fusion for Optoelectronic Device Application

Autor: M. B. Aitzhanov, R. R. Nemkayeva, Zh. Tolepov, Ye. S. Mukhametkarimov, O. Prikhodko, N. R. Guseinov

Publikováno v: Journal of Nano- and Electronic Physics. 13:05037-1

Кристали селеніду індію (InSe) привертають велику увагу останнім часом через досить високу рухливість носіїв та широку переналаштовувані

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b35941c2a2856ed5d6924bfd3681ac91
https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05037

Влияние электронного облучения на анизотропию електропроводности n-InSe

До та після електронного опромінення у діапазоні 80-400 К досліджується анізотропія електропровідності та механізм перенесення заряду вп

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::93c75a313b391d913335dfd892a212ee
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66001

Resistance of In2О3–p-InSe photoconverter to different types of irradiation

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12(60) (2012): Sensory semiconductor devices; 11-15
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорные полупроводниковые приборы; 11-15
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорні напівпровідникові пристрої; 11-15

Приведено результати впливу гальмівних гамма-квантів, високоенергетичних електронів і гамма-нейтронів на електричні та фотоелектричн�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::8e64c6272c3b496ac203c398c99a9232
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6020