Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"сапфировая подложка"'
Autor:
Павел Николаевич Бутенко, Роман Борисович Тимашов, Андрей Иванович Степанов, Алексей Иванович Печников, Андрей Владимирович Чикиряка, Любовь Игоревна Гузилова, Сергей Иванович Степанов, Владимир Иванович Николаев
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)
Оксид хрома со структурой корунда (a-Cr2O3), обладающий возможностью иметь проводимость p-типа, является привлекательным кандидатом для соз
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b5856803ddef4ae7bf42616c878e687c
Autor:
Alexander Polyakov, Vladimir Nikolaev, Sergey Stepanov, Alexei Almaev, Alexei Pechnikov, Eugene Yakimov, Bogdan O Kushnarev, Ivan Shchemerov, Mikhail Scheglov, Alexey Chernykh, Anton Vasilev, Anastasia Kochkova, Lyubov Guzilova, Stephen J Pearton
Publikováno v:
Journal of physics D: Applied physics. 2022. Vol. 55, № 49. P. 495102
Heavily Sn-doped films of α-Ga2O3 were grown by halide vapor phase epitaxy (HVPE) on basal plane c-sapphire and on (10-12) r-sapphire substrates with and without α-Cr2O3 thin buffers prepared by magnetron sputtering and annealing in air at 500 °C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::df3e101c3b2b175ae99e72789ac0c8be
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac962f
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac962f
Возможность формирования тонких пленок на диэлектрических и полупроводниковых подложках открывает широкие возможности для конструир
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3992::65841f2529c751f6b157779cd6d64ad8
https://elib.belstu.by/handle/123456789/28598
https://elib.belstu.by/handle/123456789/28598
