ВПЛИВ АДСОРБОВАНИХ МОНОШАРІВ З ДОВІЛЬНИМ СПІВВІДНОШЕННЯМ КОНЦЕНТРАЦІЇ РІЗНОЙМЕННИХ ЗАРЯДІВ НА ЕЛЕКТРОННУ СПОРІДНЕНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКА

Publikováno v: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 20 No. 1 (2023); 4-10
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 20 № 1 (2023); 4-10
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 20 № 1 (2023); 4-10

A dipole layer on the semiconductor’s surface with the equal concentration of oppositely charged adsorbed atoms (e. g., oxygen and metal) Ns(-) = Ns(+) can decrease the electron affinity by up to 3 eV. The analytical part of this paper demonstrates

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::7e48a00fcbcc4380334e6ddf870d9c74
http://semst.onu.edu.ua/article/view/275941

ТЕОРЕТИЧНА МОДЕЛЬ ДЛЯ ОПИСУ ЗНИЖЕННЯ РОБОТИ ВИХОДУ НАПІВПРОВІДНИКА/ДІЕЛЕКТРИКА ПІД ВПЛИВОМ ПОВЕРХНЕВОГО ПОДВІЙНОГО ЗАРЯДЖЕНОГО ШАРУ

Publikováno v: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 19 No. 3 (2022); 23-29
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 19 № 3 (2022); 23-29
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 19 № 3 (2022); 23-29

We develop a simple theoretical model, connecting a lowering of the electron affinity of a semiconductor (or insulator) with such parameters as the density of surface charge, localized on surface states or adsorbed atoms, and the volume density of ch

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::dd50367cf8b3fe1c465bf6faab4cf88f
http://semst.onu.edu.ua/article/view/265293

Influence of Triple Material on Performance Study of Double Gate PiN Tunneling Graphene Nanoribbon FET for Low Power Logic Applications

Autor: Nitai Paitya, Ritam Dutta

Publikováno v: Journal of Nano- and Electronic Physics. 13:03020-1

Було розроблено потрійні матеріали з різними роботами виходу та досліджено їх вплив на роботу тунельного польового транзистора з графе

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f17d25f817a2ca340efea4f7a4ac8e0c
https://doi.org/10.21272/jnep.13(3).03020

Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ

Autor: M.I. Fedorchenko, M.G. Nakhodkin

Publikováno v: Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 97
Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 97

Changes in the electronic properties of the Si(100) surface, when a multilayer structure of oxidized Gd atoms is created on it, have been studied, by using the electron spectroscopy methods. It is shown that, after a number of adsorption cycles of Gd

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::11421fce3eab5471f2ad960793fff015
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019268

The Criterion for Choosing an Insulator for Sili-con MOS Structures

Autor: Korolevych, Liubomyr Mykolaiovych, Borysov, Oleksandr Vasyliovych

Publikováno v: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 23, № 6 (2018); 6-12
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 23, № 6 (2018); 6-12
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 23, № 6 (2018); 6-12

Nowadays, MIS structures based on silicon dioxide films have become the most widely used. However, the desire to reduce the channel length and the nano-scaling in electronics showed, that SiO2 can’t provide the specified MIS devices parameters and

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::3b08b7961fef18bf5eece6aa1b54d77a
http://elc.kpi.ua/article/view/141435