Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"прыжковая проводимость"'
Autor:
Zakhvalinskii, Vasilii, Borisenko, Alexander, Nikulicheva, Tatyana, Kochura, Alexey, Htet, Aung Zaw, Pilyuk, Evgeniy
The modified Bridgeman method was used to obtain single crystals of (Cd0.69Zn0.31)3As2. It has been established that the studied sample crystallizes in space group P42/nmc with lattice parameters a = 8.78 Å, b = 12.42 Å. We have investigated the el
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e5ab1a08563a19f4b119f6f5f444926a
Autor:
Antolii Oleksandrovych Druzhynin, Yurii Mykolaiovych Khoverko, Nazar Ihorovych Kucherepa, Ihor Petrovych Ostrovskyi
Publikováno v:
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 23, № 3 (2018); 6-13
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 23, № 3 (2018); 6-13
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 23, № 3 (2018); 6-13
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 23, № 3 (2018); 6-13
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 23, № 3 (2018); 6-13
Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу м
В работе описывается метод выращивания высококачественных тонких пленок Cd₃As₂. Измерена зависимость электропроводности от температур
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=httpsopenrep::00aa09f7cb60425380faf307b36bedf3
https://openrepository.ru/article?id=456872
https://openrepository.ru/article?id=456872
Объектом исследования данной работы являются электрические характеристики, такие как проводимость и импеданс, тонких фуллереновых пле
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::008ddcefd656aa4f12b0b5bd0604ba84
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 139-143
Проведены исследования электропроводности и теплопроводности AgSbSe2 в температурной области 80–330 К. Показано, что перенос заряда в AgSbSe2 о
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::70bf2f2956adee4afd668af9f3e0ab06
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674505
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674505
Publikováno v:
Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал, 2018, Т. 23, № 3(104)
Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу м
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::d91188caa0b78e16372fae5a219cccff
https://doi.org/10.20535/2523-4455.2018.23.3.130790
https://doi.org/10.20535/2523-4455.2018.23.3.130790
Publikováno v:
Photoelectronics; No. 25 (2016); 109-113
Photoelectronics; № 25 (2016); 109-113
Photoelectronics; № 25 (2016); 109-113
Abnormal dependence of volt-farad characteristics of «nonideal» heterojunctiоn barrier capacity is investigated. It is shown that in heterojunctions with the big concentration and non-uniform distribution of defects tunnel currents essentially inf
Рассмотрены электрофизические свойства пленок фторзамещенного фталоцианина меди с помощью специально собранной установки для опреде
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3992::873ff905eb0e8cf2020059a3aa676a46
https://elib.belstu.by/handle/123456789/20108
https://elib.belstu.by/handle/123456789/20108