Формирование низкопористых слоев фосфида индия с заданным уровнем качества

Autor: Vambol, Sergij, Bogdanov, Igor, Vambol, Viola, Suchikova, Yana, Kondratenko, Olexandr

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 12 (93) (2018): Materials Science; 48-55
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 12 (93) (2018): Материаловедение; 48-55
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 12 (93) (2018): Матеріалознавство; 48-55

The morphological quality criterion was developed to have a possibility of formation of nanostructured layers on semiconductor surface with adjustable properties. The layers of low-porous indium phosphide with mesoporous structure were obtained. The

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::bf1a7beb4dcce5e7b9e4bcad4ba98ff5
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/133193

Дослідження закономірностей формування пор на поверхні напівпровідників

Autor: Vambol, Sergey, Bogdanov, Ihor, Vambol, Viola, Suchikova, Yana, Kondratenko, Olexandr, Hurenko, Olga, Onishchenko, Sergey

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 5 (87) (2017): Applied physics; 37-44
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладная физика; 37-44
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладна фізика; 37-44

A general procedure is devised to control the process of formation of porous layers on semiconductor surfaces by the method of electrochemical etching. When controlling the process of pore formation on the surface of crystal, it is necessary to consi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::2356f73412e337a192aced5585c52fc1
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/104039