Zobrazeno 1 - 1
of 1
pro vyhledávání: '"полупроводниковый однопереходный транзисторный прибор"'
Publikováno v:
Technology audit and production reserves; Том 4, № 1(54) (2020): Industrial and technology systems; 51-55
Technology audit and production reserves; Том 4, № 1(54) (2020): Виробничо-технологічні системи; 51-55
Technology audit and production reserves; Том 4, № 1(54) (2020): Производственно-технологические системы; 51-55
Technology audit and production reserves; Том 4, № 1(54) (2020): Виробничо-технологічні системи; 51-55
Technology audit and production reserves; Том 4, № 1(54) (2020): Производственно-технологические системы; 51-55
The object of this research is all the semiconductor unijunction transistor device (UJT) parameters that affect its operation as 1.67 kHz saw-tooth relaxation oscillator circuit under the influence of gamma-irradiation dose. Relaxation oscillators ar