Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"полупроводники АIIIBV"'
Publikováno v:
Electronics and Communications; Том 18, № 6 (2013); 9-15
Электроника и Связь; Том 18, № 6 (2013); 9-15
Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 6 (2013); 9-15
Электроника и Связь; Том 18, № 6 (2013); 9-15
Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 6 (2013); 9-15
Under the anisotropy of boundary conditions, a high-gap III-V semiconductor indicates a behavior of pyroelectric crystal (in spite of it is a piezoelectric only). Partial limitation of strain in the [111]-plate of this crystal provides its substantia
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::bc811c646583fb7cb2e2f5e8b4678b9a
http://elc.kpi.ua/old/article/view/142453
http://elc.kpi.ua/old/article/view/142453
Autor:
Poplavko, Y. M., Yakimenko, Y. I.
Publikováno v:
Electronics and Communications: научно-технический журнал
Показано, що скалярний тепловий вплив може викликати піроелектрику в п'єзоелектричних класах полярних кристалів, і найважливіше застос
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::e336aec3327237474ac96fad0599012b
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10002
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10002
