Výsledky vyhledávání - "полевой транзистор"

ФИЗИКА MOSFET НАНОТРАНЗИСТОРОВ: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРЕДЕЛЫ И ОГРАНИЧЕНИЯ

Publikováno v: Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 18 № 3 (2021); 4-28
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 18 № 3 (2021); 4-28
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 18 No. 3 (2021); 4-28

In the last one from the series of the tutorial review articles, devoted to physics of modern nanotransistors and aimed to serve reseachers, ingeneers, students and teachers in the universities, it is demonstrated that the existence of the minimal en

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::b0152b8d879162e7fc0af519b04127fd
http://semst.onu.edu.ua/article/view/241052

Zobrazit plný text záznamu

Термостабильный радиационно-стойкий генератор опорного тока на базе полевых транзисторов

Publikováno v: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 64 No. 6 (2021); 362-373
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 64 № 6 (2021); 362-373
Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 64 № 6 (2021); 362-373

Экспериментально исследовано влияние температуры и ионизирующего излучения на характеристики стабилизаторов тока на основе полевых т

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::6d742db65ffa1bf64128170623c439e0
http://radio.kpi.ua/article/view/s0021347021060042

Zobrazit plný text záznamu

Проектирование охлаждения тягового инвертора электротележки

Использование силовых печатных плат для создания силовых электронных схем - современное технологическое решение, обеспечивающее прост

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3b16b121956557c331f9c851d88156a2

Zobrazit plný text záznamu

ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: РОЗСІЯННЯ ЕЛЕКТРОНІВ І МОДЕЛЬ ПРОХОДЖЕННЯ MOSFET

Publikováno v: Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 2 (2020); 16-34
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 2 (2020); 16-34
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 2 (2020); 16-34

In the seventh one from the line our new tutorial reviews, directed to serve students, university teachers and researchers, а qualitative picture of electron scattering phenomena in the conduction channel of nanotransistors was considered in detail.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::45393b02154c6009e20611e0b1910355
http://semst.onu.edu.ua/article/view/205822

Zobrazit plný text záznamu

Повышение чувствительности биосенсоров с использованием эволюционного алгоритма для биомедицинских приложений

Publikováno v: Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 63, № 6 (2020): ; 368-380
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 63, № 6 (2020): Наноэлектроника и медицина; 368-380
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 63, № 6 (2020): ; 368-380

Использование специальных приложений и устройств для биомедицинских целей облегчает диагностику состояния здоровья людей. Основными �

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::28507f2406ddbcb848e2827dd449652b
http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347020060047

Zobrazit plný text záznamu

Радіаційностійкий запам’ятовуючий пристрій на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника

Autor: Kychak, V. M., Slobodyan, I. V., Vovk, V. L.

Publikováno v: Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 80; 79-84
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 80; 79-84
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 80; 79-84

A memory cell structure is proposed that uses a Schottky barrier thin film transistor based on an amorphous semiconductor as a junction element, and a chalcogenide glassy semiconductor film as a switching element. A physical storage cell model has be

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::43d6aebff97c8115e8e9371a07511fd1
http://doi.radap.kpi.ua/article/view/221487

Zobrazit plný text záznamu

ФИЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРОВ: БАЛЛИСТИЧЕСКАЯ СКОРОСТЬ ВПРЫСКИВАНИЯ И ОБЪЕДИНЕНИЕ БАЛЛИСТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ С МОДЕЛЬЮ ВИРТУАЛЬНОГО ИСТОКА

Publikováno v: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 1 (2020); 4-20
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 1 (2020); 4-20
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 1 (2020); 4-20

У шостій із нової серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, ми роз

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::d83207aaede1268e14a981fe8f464279
http://semst.onu.edu.ua/article/view/198921

Zobrazit plný text záznamu

Радиационно чувствительный детектор на основе полевых транзисторов

Publikováno v: Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2017, Т. 60, № 9 (663)

Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347017090035 Экспериментально исследована возможность создания дете

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4f12d636ba07d477fccb8709bf355794
https://doi.org/10.20535/s0021347017090035

Zobrazit plný text záznamu

Gas sensor for analysis of exhaled air and diagnostics of lung cancer, based on a semiconductor structure

Данная работа посвящена особенностям диагностики онкозаболеваний легких, чувствительности наноструктурированных элементов в сенсора

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1ae2f2aa46b96bdb706a9125cabdd9a2

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání