Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"плотности состояний"'
Publikováno v:
Известия Алтайского государственного университета, Iss 4(114), Pp 33-38 (2020)
На основе теории функционала плотности (DFT) и метода линейной комбинации атомных орбиталей (ЛКАО) проведено исследование зависимости ст
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7ea5bbf9ede149dfb608ece224ff1257
Publikováno v:
Izvestiya of Altai State University; No 4(114) (2020): Izvestiya of Altai State University; 33-38
Известия Алтайского государственного университета; № 4(114) (2020): Известия Алтайского государственного университета; 33-38
Известия Алтайского государственного университета; № 4(114) (2020): Известия Алтайского государственного университета; 33-38
This paper studies the effect of pressure on the structure and electronic properties of CaCO3-H2O and CaCO3-6H2O crystalline hydrates. The study is based on the density functional theory (DFT) and the linear combination of atomic orbitals (LCAO) meth
M.A. Zagrebin1,2,3, V.V. Sokolovskiy1,3, V.D. Buchelnikov1,3 1 Chelyabinsk State University, Chelyabinsk, Russian Federation 2 South Ural State University, Chelyabinsk, Russian Federation 3 National University of Science and Technology “MISiS”, M
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2425::156e6fdd62ff35e5cbb3149ea2c2d1f4
http://dspace.susu.ru/xmlui/handle/0001.74/40296
http://dspace.susu.ru/xmlui/handle/0001.74/40296
Publikováno v:
Научные ведомости Белгородского государственного университета. Серия: Математика. Физика.
Из данных по явлениям переноса на серии кристаллов PbSb2Te4 оценены параметры энергетического спектра дырок. Показано, что валентная зона и
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 9, № 2 (2012); 69-73
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 9, № 2 (2012); 69-73
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 9, № 2 (2012); 69-73
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 9, № 2 (2012); 69-73
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 9, № 2 (2012); 69-73
Обчислено радіус екранування для та - мінімумів зони провідності кристалівз різною концентрацією домішки. Отримано залежності екраную
Publikováno v:
Ученые записки Забайкальского государственного университета. Серия: Физика, математика, техника, технология.
На монокристаллах PbSb2T e4, легированных медью, исследованы кинетические коэффициенты Холла, электропроводности и термоЭДС и их анизотроп
Publikováno v:
Ученые записки Казанского университета. Серия Физико-математические науки.
Проведен теоретический анализ строения ионных расплавов. Поскольку за неупорядоченную структуру ионного расплава ответственно случай