Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних p-i-n фотодіодів на основі високоомного р-Si

Autor: Mykola Stepanovych Kukurudziak

Publikováno v: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 28, Iss 1 (2023)

Зважаючи на потребу ринку в високочутливих кремнієвих p-i-n фотодіодах (ФД) для детектування випромінювання YAG-лазера (довжина хвилі 1,064 мк

Externí odkaz: https://doaj.org/article/50797739dc46402fb332f3cfe8ef713f

Conductive Characteristics of Thin-Film Composite Materials with Mineral Fillers

Autor: N. I. Domantsevich, B. P. Yatsyshyn

Publikováno v: Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 1, Pp 18-21 (2019)

The investigation of conductive characteristics and surface structure of polyethylene films modified by fillers was carried out. The dependence of changes in surface and volume resistivity on the quantity of non-metallic filler and time-based changes

Externí odkaz: https://doaj.org/article/c1bab4b1f4a947b5b64a3251ab9eeb6c

SOFTWARE FOR INTERPRETING THE RESULTS OF VERTICAL ELECTRICAL SOUNDING IN THE FORM OF A THREE-LAYER GEOELECTRIC STRUCTURE

Publikováno v: Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях; № 2(16) (2023): Вісник НТУ «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях; 18-25
Вестник Национального Технического Университета "ХПИ" Серия Новые решения в современных технологиях; № 2(16) (2023): Вісник НТУ «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях; 18-25
Bulletin of the National Technical University «KhPI» Series: New solutions in modern technologies; No. 2(16) (2023): Bulletin of the NTU"KhPI". Series: New Solutions in Modern Technology; 18-25

By monitoring the state of the grounding system, electrical engineering personnel must independently solve the problem of interpreting the results of vertical electrical sounding (VES) of the soil using their own knowledge and practical experience. D

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::84d03f5a468a9173b4193c2cf49982a1
http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/278131

Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних p-i-n фотодіодів на основі високоомного р-Si

Publikováno v: Microsystems, Electronics and Acoustics; Vol. 28 No. 1 (2023): to the 125th anniversary of Igor Sikorsky KPI; 275010.1-275010.6
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 28 № 1 (2023): до 125-річчя КПІ ім. Ігоря Сікорського; 275010.1-275010.6
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 28 № 1 (2023): до 125-річчя КПІ ім. Ігоря Сікорського; 275010.1-275010.6

This Taking into account the market need for highly responive silicon p-i-n photodiodes (PD) for detecting YAG-laser radiation (wavelength 1.064 μm), it was decided to investigate methods of increasing their responsivity, in particular, shifting the

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::584a93f2516a82f8245210790fe1f4d2
http://elc.kpi.ua/article/view/275010

Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних p-i-n фотодіодів на основі високоомного р-Si

Зважаючи на потребу ринку в високочутливих кремнієвих p-i-n фотодіодах (ФД) для детектування випромінювання YAG-лазера (довжина хвилі 1,064 мк

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::1784a2e30751883ebfe26710fe6b5967
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/57988