Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"оптическое отражение"'
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 15, № 2 (2018); 20-27
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 15, № 2 (2018); 20-27
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 15, № 2 (2018); 20-27
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 15, № 2 (2018); 20-27
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 15, № 2 (2018); 20-27
The optical, luminescence and electrical properties of α-ZnSe heterolayers obtained by the method of isovalent replacement are investigated. The high quantum yield of luminescence η = 10-12% in the short-wave region is established. The dominant rol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::2349066a36596d7ffe997a019ba8e19e
http://semst.onu.edu.ua/article/view/136885
http://semst.onu.edu.ua/article/view/136885
A modified surface on α-ZnSe heterolayers was prepared by chemical treatment in H2SO4:H2O2 etchant. Visual observation with microscope magnification 150× and AFM-topograms made it possible to determine the geometrical surface structure which is com
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::addeb2b3d024668e8375d93925e27a5d
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66267
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66267
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 12, № 1 (2015); 95-99
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 12, № 1 (2015); 95-99
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 12, № 1 (2015); 95-99
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 12, № 1 (2015); 95-99
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 12, № 1 (2015); 95-99
Effect of Mg diffusion on photoelectrical and luminescence properties of Zn0,88Mg0,12Se have been investigated. It was found that doping substance exhibits the properties of isovalent impurities. It causes an inversion of conductivity type and obtain
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::13d90ed11e720c7156a555e92df876cb
http://semst.onu.edu.ua/article/view/107701
http://semst.onu.edu.ua/article/view/107701
Autor:
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра оптико-электронных систем и дистанционного зондирования, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 236-237
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::aeeb28fecf877525beb40c2679f05be5
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448910
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448910
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 8, № 1 (2011); 65-68
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 8, № 1 (2011); 65-68
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 8, № 1 (2011); 65-68
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 8, № 1 (2011); 65-68
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 8, № 1 (2011); 65-68
Наводяться результати досліджень оптичного пропускання і відбивання тонкихплівок CdXZn1-XO. Використано метод λ-модуляції з метою виявлен
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::6007f626ca07209a14a2ec3e058a12c2
http://semst.onu.edu.ua/article/view/116014
http://semst.onu.edu.ua/article/view/116014