Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"напівпровідникові структури"'
Publikováno v:
Сучасні інформаційні системи, Vol 2, Iss 1 (2018)
Предметом вивчення є механізми виникнення нестійкостей власних коливань напівпровідникових надґраток, обумовлених їх взаємодією з по
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0a13dfa26c294fab9a38b57fc094bf2d
Publikováno v:
Сучасні інформаційні системи; Том 5 № 3 (2021): Сучасні інформаційні системи; 18-21
Advanced Information Systems; Vol. 5 No. 3 (2021): Advanced Information Systems; 18-21
Современные информационные системы-Sučasnì ìnformacìjnì sistemi; Том 5 № 3 (2021): Сучасні інформаційні системи; 18-21
Advanced Information Systems; Vol. 5 No. 3 (2021): Advanced Information Systems; 18-21
Современные информационные системы-Sučasnì ìnformacìjnì sistemi; Том 5 № 3 (2021): Сучасні інформаційні системи; 18-21
The subject of the papers is the processes of analysis and physical model of excitation (amplification) of magnetoplasma oscillations (helicons) by fluxes of charged particles (electrons) in the presence of a constant magnetic field. This model is ba
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::023b5579810af3d9e969dd173d84e749
http://ais.khpi.edu.ua/article/view/242199
http://ais.khpi.edu.ua/article/view/242199
Autor:
Обухова, Тетяна Юріївна
Дипломна робота присвячена фоточутливим органічно-неорганічним структурам на основі меланіну. Метою роботи є дослідити зразки і виясн
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::395ee2564588c91a6a986fcf09824bb5
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42297
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42297
Autor:
Осінський, Володимир Іванови
Дана бакалаврьска робота присвячена ефективності фотоелектричних перетворювачів на матеріалах АIIIBV. Метою роботи є дослідження характ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::1f9c9b37faf1c2232ccbc467e0368099
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42260
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42260
Autor:
Обухова, Тетяна Юріївна
Дипломна робота присвячена електрофізичним властивостям структури меланін/пористий кремній. Метою роботи є проведення аналізу вольт-а
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::4382730224ac10ee5b41a4556ac65f7c
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/35123
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/35123
Publikováno v:
Сучасні інформаційні системи; Том 3 № 2 (2019): Сучасні інформаційні системи; 109-115
Advanced Information Systems; Vol. 3 No. 2 (2019): Advanced Information Systems; 109-115
Современные информационные системы-Sučasnì ìnformacìjnì sistemi; Том 3 № 2 (2019): Современные информационные системы; 109-115
Advanced Information Systems; Vol. 3 No. 2 (2019): Advanced Information Systems; 109-115
Современные информационные системы-Sučasnì ìnformacìjnì sistemi; Том 3 № 2 (2019): Современные информационные системы; 109-115
The subject of the paper is an analysis and a physical model of the occurrence of reversible failures in semiconductor diodes (when current-voltage characteristics of the devices are influenced by electromagnetic radiation (EMR)). The model is based
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::956e6f577ea3e9c24b72dfb1ae9b5f66
http://ais.khpi.edu.ua/article/view/2522-9052.2019.2.19
http://ais.khpi.edu.ua/article/view/2522-9052.2019.2.19
Publikováno v:
Сучасні інформаційні системи; Том 2 № 3 (2018): Сучасні інформаційні системи; 142-146
Advanced Information Systems; Vol. 2 No. 3 (2018): Advanced Information Systems; 142-146
Современные информационные системы-Sučasnì ìnformacìjnì sistemi; Том 2 № 3 (2018): Современные информационные системы; 142-146
Advanced Information Systems; Vol. 2 No. 3 (2018): Advanced Information Systems; 142-146
Современные информационные системы-Sučasnì ìnformacìjnì sistemi; Том 2 № 3 (2018): Современные информационные системы; 142-146
The subject of the study are processes of manifestation of instabilities of natural oscillations of semiconductor structures, which are caused by the mechanisms of interaction of charged particle flows in the presence of powerful external electromagn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::5f089fb14fa52fb926c5ce9f58936b02
http://ais.khpi.edu.ua/article/view/2522-9052.2018.3.25
http://ais.khpi.edu.ua/article/view/2522-9052.2018.3.25
The subject matter is the mechanisms of emergence of instabilities in natural oscillations of semiconductor supertattices caused by their interaction with charged particle flows of extraneous electromagnetic radiation. The aimis calculating ratios to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0e794bdafacc2387d98c02a01193dfab
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/36762
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/36762
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 3, № 1 (2006); 8-17
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 3, № 1 (2006); 8-17
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 3, № 1 (2006); 8-17
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 3, № 1 (2006); 8-17
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 3, № 1 (2006); 8-17
The basic physical operation mechanisms of bipolar semiconductor magnetosensitive structures (BMSs) are analysed. The vertical structures have been shown to be subject to exclusion from the BMS class, and horizontal BMSs form a single class irrespect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::cf747bf7c8f7e6b1af88ace1053ffebd
http://semst.onu.edu.ua/article/view/116841
http://semst.onu.edu.ua/article/view/116841
Autor:
Volchanskyy, Oleh
(UA) Пропонується спрощена теорія генерації фототермоакустичного сигналу, а також аналіз його залежності від оптичних, теплових і геомет
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3614::cff73f3d0ad28507328a31e9919e564a
http://dspace.kspu.kr.ua/jspui/handle/123456789/819
http://dspace.kspu.kr.ua/jspui/handle/123456789/819