Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"наноелектроніка"'
Autor:
С. Ф. Петренко, О. Г. Новаковський, Віктор Степанович Антонюк, Є. В. Скорина, Юлія Юріївна Бондаренко
Publikováno v:
Вісник Черкаського державного технологічного університету, Vol 1, Iss 1, Pp 5-13 (2018)
The article briefly describes the principle and operating modes of atomic-force microscope (AFM), as well as the features of microgeometry and surface properties of dielectric materials for micro and nanoelectronics using AFM method. The purpose of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/41a644f722a24146878df2fe3fa32b21
Матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, м. Суми, 24–28 квітня 2023 року.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::77bcc5d54de4f91ec5a4e8d58903cef7
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91551
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91551
Матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, м. Суми, 18–22 квітня 2022 року.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::648f1dc8fcbdc039e1b57518f3d3fc80
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87781
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87781
Publikováno v:
Problems of Informatization and Management; Vol. 4 No. 68 (2021); 38-43
Проблемы информатизации и управления; Том 4 № 68 (2021); 38-43
Проблеми iнформатизацiї та управлiння; Том 4 № 68 (2021); 38-43
Проблемы информатизации и управления; Том 4 № 68 (2021); 38-43
Проблеми iнформатизацiї та управлiння; Том 4 № 68 (2021); 38-43
The paper proposes a technique that can be used to measure the characteristics of deep submicron structures. This approach is useful for solving problems of functional nanoelectronics. In particular, it determines the roadmap for measurements at the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=aviationuniv::bc5c26a1a806e045bd466324e9aba477
https://jrnl.nau.edu.ua/index.php/PIU/article/view/16525
https://jrnl.nau.edu.ua/index.php/PIU/article/view/16525
Publikováno v:
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 18 № 3 (2021); 4-28
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 18 № 3 (2021); 4-28
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 18 No. 3 (2021); 4-28
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 18 № 3 (2021); 4-28
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 18 No. 3 (2021); 4-28
In the last one from the series of the tutorial review articles, devoted to physics of modern nanotransistors and aimed to serve reseachers, ingeneers, students and teachers in the universities, it is demonstrated that the existence of the minimal en
Publikováno v:
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 2 (2020); 16-34
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 2 (2020); 16-34
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 2 (2020); 16-34
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 2 (2020); 16-34
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 2 (2020); 16-34
In the seventh one from the line our new tutorial reviews, directed to serve students, university teachers and researchers, а qualitative picture of electron scattering phenomena in the conduction channel of nanotransistors was considered in detail.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 1 (2020); 4-20
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 1 (2020); 4-20
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 1 (2020); 4-20
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 1 (2020); 4-20
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 1 (2020); 4-20
У шостій із нової серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, ми роз
Publikováno v:
Вісник Черкаського державного технологічного університету. Серія: Технічні науки. 1:5-13
У статті коротко розглянуті особливості проведення дослідження мікрогеометрії і поверхневих властивостей діелектричних матеріалів д
Publikováno v:
Вісник Черкаського державного технологічного університету, Vol 1, Iss 1, Pp 5-13 (2018)
The article briefly describes the principle and operating modes of atomic-force microscope (AFM), as well as the features of microgeometry and surface properties of dielectric materials for micro and nanoelectronics using AFM method. The purpose of t