Zobrazeno 1 - 10
of 122
pro vyhledávání: '"наноелектроніка"'
Autor:
Lopatkin, Yurii Mykhailovych
В рамках концепції «знизу-вгору» сучасної наноелектроніки розглядаються класичний і квантовий ефекти Хола, методи вимірювання електро
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::7574bcf499c3dbb6792957afdeada931
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41491
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41491
Autor:
Lopatkin, Yurii Mykhailovych
В рамках концепції «знизу - догори» наноелектроніки розглядається спіновий транспорт у формалізмі нерівноважних функцій Гріна (НРФГ) у
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::96bde4730add23e9313731a4f0875703
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44582
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44582
Висвітлено квантово-механічні засади наноелектроніки, питания ii базових напів- провідникових i вуглецевих структур та характеристични
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::637796dc2436b126060dd13490f9de4c
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/38042
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/38042
Autor:
С. Ф. Петренко, О. Г. Новаковський, Віктор Степанович Антонюк, Є. В. Скорина, Юлія Юріївна Бондаренко
Publikováno v:
Вісник Черкаського державного технологічного університету, Vol 1, Iss 1, Pp 5-13 (2018)
The article briefly describes the principle and operating modes of atomic-force microscope (AFM), as well as the features of microgeometry and surface properties of dielectric materials for micro and nanoelectronics using AFM method. The purpose of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/41a644f722a24146878df2fe3fa32b21
Матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, м. Суми, 24–28 квітня 2023 року.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::77bcc5d54de4f91ec5a4e8d58903cef7
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91551
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91551
Publikováno v:
Journal of Nano- & Electronic Physics; 2015, Vol. 7 Issue 4, p04102-1-04102-12, 12p
Матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, м. Суми, 18–22 квітня 2022 року.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::648f1dc8fcbdc039e1b57518f3d3fc80
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87781
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87781
Publikováno v:
Problems of Informatization and Management; Vol. 4 No. 68 (2021); 38-43
Проблемы информатизации и управления; Том 4 № 68 (2021); 38-43
Проблеми iнформатизацiї та управлiння; Том 4 № 68 (2021); 38-43
Проблемы информатизации и управления; Том 4 № 68 (2021); 38-43
Проблеми iнформатизацiї та управлiння; Том 4 № 68 (2021); 38-43
The paper proposes a technique that can be used to measure the characteristics of deep submicron structures. This approach is useful for solving problems of functional nanoelectronics. In particular, it determines the roadmap for measurements at the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=aviationuniv::bc5c26a1a806e045bd466324e9aba477
https://jrnl.nau.edu.ua/index.php/PIU/article/view/16525
https://jrnl.nau.edu.ua/index.php/PIU/article/view/16525
Publikováno v:
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 18 № 3 (2021); 4-28
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 18 № 3 (2021); 4-28
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 18 No. 3 (2021); 4-28
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 18 № 3 (2021); 4-28
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 18 No. 3 (2021); 4-28
In the last one from the series of the tutorial review articles, devoted to physics of modern nanotransistors and aimed to serve reseachers, ingeneers, students and teachers in the universities, it is demonstrated that the existence of the minimal en
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::b0152b8d879162e7fc0af519b04127fd
http://semst.onu.edu.ua/article/view/241052
http://semst.onu.edu.ua/article/view/241052