Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния

Построена стохастическая теория кинетики аксиального каналирования ионов низких энергий, учитывающая потери полной энергии при движе�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::3d17593932ba3b090bb4e93c0acec8b8
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81440

Особливості дефектоутворення в монокристалах n-Si при електронному опроміненні

Autor: Luniov, Sergiy, Zimych, Andriy, Khvyshchun, Mykola, Yevsiuk, Mykola, Maslyuk, Volodymyr

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12 (96) (2018): Materials Science; 35-42
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12 (96) (2018): Материаловедение; 35-42
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12 (96) (2018): Матеріалознавство; 35-42

Based on measurements of infrared Fourier spectroscopy, Hall effect, and the tensor Hall-effect, we have established the nature, and determined the concentration, of the main types of radiation defects in the single crystals n-Si , irradiated by diff

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::0a8f2aca7e8095c2875fc8ee04cb5958
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/150959

Влияние отжига на фазовый состав кремния внутри отпечатка индентора

Publikováno v: Вестник Тамбовского университета. Серия: Естественные и технические науки.

Методом рамановской спектроскопии исследовано влияние температуры на кинетику фазовых превращений кремния внутри отпечатка индентор�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806::abc3d3fd3130525f56fcf8f661bcdbf7
http://cyberleninka.ru/article_covers/14467466.png

Channeling of high-energy protons in Si and W.

Autor: Acerbi, E., Birattari, C., Candoni, B., Castiglioni, M., Succi, C.

Publikováno v: Il Nuovo Cimento: B; Oct1975, Vol. 29 Issue 2, p257-269, 13p

Исследование влияния состава остаточных газов на твердость, адгезионные свойства и элементный состав покрытий SiC-AlN, нанесенных методом магнетронного распыления (Russian)

Autor: Гончаров, И. Ю., Колесников, Д. А., Новиков, В. Ю., Ковалева, М. Г., Литовченко, С. В., Мазилин, Б. А., Горох, Д. В., Береснев, В. М., Diaz Yanez, David Alejandro

Publikováno v: Journal of Nano- & Electronic Physics; 2018, Vol. 10 Issue 3, p03028-1-03028-5, 5p