Особливості дефектоутворення в монокристалах n-Si при електронному опроміненні

Autor: Luniov, Sergiy, Zimych, Andriy, Khvyshchun, Mykola, Yevsiuk, Mykola, Maslyuk, Volodymyr

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12 (96) (2018): Materials Science; 35-42
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12 (96) (2018): Материаловедение; 35-42
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12 (96) (2018): Матеріалознавство; 35-42

Based on measurements of infrared Fourier spectroscopy, Hall effect, and the tensor Hall-effect, we have established the nature, and determined the concentration, of the main types of radiation defects in the single crystals n-Si , irradiated by diff

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::0a8f2aca7e8095c2875fc8ee04cb5958
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/150959