Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях

Autor: Kostiantyn Viacheslavovych Kulikov, Volodymyr Oleksandrovych Moskaliuk, Volodymyr Ivanovych Tymofieiev

Publikováno v: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 3 (2019)

У статті запропоновано метод моделювання і аналізу високочастотних властивостей многодолинних напівпровідників, зокрема GaN, AlN і InN. Мод

Externí odkaz: https://doaj.org/article/c60e69d2fe8d465aa63661d0cdf360ec

Моделирование динамических свойств iii-нитридов в сильных электрических полях

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Vol. 1 No. 5 (109) (2021): Applied physics; 37-52
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1 № 5 (109) (2021): Прикладная физика; 37-52
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1 № 5 (109) (2021): Прикладна фізика; 37-52

This paper proposes a method of modeling the dynamic properties of multi-valley semiconductors. The model is applied to the relevant materials GaN, AlN, and InN, which are now known by the general name of III-nitrides. The method is distinguished by

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::d5d437fdc5faad54351d4fc74f4b5ac8
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/225733

Scattering Mechanisms in pressed PbTe

Autor: Matkivsky, O. M., Saliy, Ya. P., Horichok, I. V.

Publikováno v: Physics and Chemistry of Solid State; Vol 21, No 1 (2020); 82-88
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 21, No 1 (2020); 82-88

The results of studies of structural and thermoelectric properties obtained by the powder pressing method of PbTe samples are presented. In order to interpret the obtained results, a theoretical calculation of the specific conductivity and the Seebec

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=vasylstefany::9109e919a530ff9973c18ddb6a473c44
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/4316

Relaxation Processes in Submicron Heterotransistors with a System of Quantum Wells

Autor: Baida, Iryna Petrivna, Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych, Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych, Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych

Publikováno v: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24

The analysis of relaxation processes in submicrometer heterostructure transistors with the system of quantum walls is investigated. The methods of nano heterostructure design are developed including quantum effects and specific for ternary alloys sca

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::a9ffdec9c805571e0d062e973331e729
http://elc.kpi.ua/article/view/169269

High-Frequency Properties of GaN, AlN and InN in Strong Fields

Publikováno v: Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал, 2019, Т. 24, № 3(110)

У статті запропоновано метод моделювання і аналізу високочастотних властивостей многодолинних напівпровідників, зокрема GaN, AlN і InN. Мод

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::1807e4e7a2b0e35cead2e0b9dcb339f5
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33301