Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"метод Чохральського"'
Autor:
S. E. Pritchin, A.I. Liptuga, V.B. Lozinskii, A. P. Oksanich, V.O. Yukhymchuk, Nickolai I. Klyui, F. V. Fomovskii
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 11 (2014); 1093
Український фізичний журнал; Том 59 № 11 (2014); 1093
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 11 (2014); 1093
Український фізичний журнал; Том 59 № 11 (2014); 1093
Initial untreated crystals of semiinsulating tellurium-compensated GaAs are shown to degrade considerably less after HF treatments in comparison with the corresponding specimens doped with chrome, which testifies to a substantial influence of the com
Publikováno v:
Technology audit and production reserves; Том 3, № 1(5) (2012): INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE. Fundamental research; 11-12
Technology audit and production reserves; Том 3, № 1(5) (2012): МІЖНАРОДНА НАУКОВА КОНФЕРЕНЦІЯ. Фундаментальні дослідження; 11-12
Technology audit and production reserves; Том 3, № 1(5) (2012): МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ. Фундаментальные исследования; 11-12
Technology audit and production reserves; Том 3, № 1(5) (2012): МІЖНАРОДНА НАУКОВА КОНФЕРЕНЦІЯ. Фундаментальні дослідження; 11-12
Technology audit and production reserves; Том 3, № 1(5) (2012): МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ. Фундаментальные исследования; 11-12
The article describes possibility increase of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon monocrystals at use of initial raw materials with the increased content of impurity is considered
В статье описана возможн
В статье описана возможн
Publikováno v:
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 2, № 3(50) (2011): Control systems; 31-34
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 2, № 3(50) (2011): Системы управления; 31-34
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 2, № 3(50) (2011): Системи управління; 31-34
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 2, № 3(50) (2011): Системы управления; 31-34
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 2, № 3(50) (2011): Системи управління; 31-34
The approach to the synthesis of low-order controller for the crystallization control systems based on the reduction of the model features a complementary sensitivity function by the method of approximation in Hankel norm have been proposed. This met
Using the computer simulation method it was studied the dependences of nonequili-brium electrons lifetime from concentration of elementary bulk point defects and various complexes of the bulk point defects, which may be present in the diode structure
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3033::8377448efc9f6e7a66fba4a0b24b7c8a
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58123
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58123