Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"метал-напівпровідник"'
Autor:
Семікіна, Тетяна Вікторівна
Дана дипломна робота присвячена дослідженню діодних структур на основі тонких плівок А2Б6 із п’єзофототронним ефектом. В ній представл
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::970f8cb798c0657c6f75432878b95ae1
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/30569
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/30569
Мета роботи полягає у дослідженні вольт-амперної характеристики діодів Шотткі як елементів інтегрованих мікросхем і контактних структ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::e3a972474f66ff8fde3da4b38f16fcbe
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74544
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74544
Autor:
M. B. Aitzhanov, R. R. Nemkayeva, Zh. Tolepov, Ye. S. Mukhametkarimov, O. Prikhodko, N. R. Guseinov
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 13:05037-1
Кристали селеніду індію (InSe) привертають велику увагу останнім часом через досить високу рухливість носіїв та широку переналаштовувані
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 15, № 2 (2018); 13-19
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 15, № 2 (2018); 13-19
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 15, № 2 (2018); 13-19
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 15, № 2 (2018); 13-19
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 15, № 2 (2018); 13-19
The photocurrent spectra of structures obtained by vacuum deposition of semitransparent Ni layers on the chemically etched substrates of a number of semiconductors (Si, GaAs, GaP, CdTe, and ZnSe) of n-type conductivity are analyzed. All structures ha