Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"легированные кристаллы"'
Целью работы было комплексное исследование ростовой полосчатой структуры кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примес
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3041::8ecc3fb159ea15de18e93cc935096fe0
https://rep.vsu.by/handle/123456789/36816
https://rep.vsu.by/handle/123456789/36816
Целью работы явилось получение слоистых сегнетоэлектрических монокристаллов триглицинсульфата, легированных хромом, и исследование п
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3041::d502fac2e9834b4fd25e7d891879769c
https://rep.vsu.by/handle/123456789/31563
https://rep.vsu.by/handle/123456789/31563
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 117-122
Проведены исследования амплитудных и спектрально-кинетических характеристик свечения «чистых» (без специально введенных примесей) кр
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::ea05603d9e470678498adc252f1571ea
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708251
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708251
Autor:
Zhi-Shu Feng, V. Atuchin, J. Y. Gao, Yu. M. Andreev, Zhi-Hui Kang, Jin Guo, Jijiang Xie, G. Lanskii, Lei Zhang, A. Shaiduko
Publikováno v:
Applied physics B: Lasers and optics. 2012. Vol. 108, № 3. P. 545-552
Centimeter-sized Te:GaSe (≤10 mass%) ingots have been grown by the vertical Bridgman technique and studied to reveal the potentials for phase matching and frequency conversion. Less than 5 mass% Te-doped crystals show the hexagonal structure like e
Publikováno v:
Труды Кольского научного центра РАН.
Исследованы получение, физико-химические и оптические свойства монокристаллов ниобата лития, выращенных из расплавов, легированных бо
Autor:
Yu. M. Andreev, Valerii A Svetlichnyi, V. F. Losev, G. V. Lanskii, Konstantin A. Kokh, D. M. Lubenko
Publikováno v:
Proceedings of SPIE. 2015. Vol. 9810 : XII International Conference on Atomic and Molecular Pulsed Lasers, 13–18 September 2015, Tomsk, Russian Federation. P. 981012-1-981012-10
Ab-initio study on modification of commerce terahertz spectrometer with time resolution Z-3 (Zomega, USA) by substitution of ZnTe and GaP detectors and LT-GaAs generator for homemade of pure and S-doped GaSe is carried out. It was established that in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f8e4abe296897391e66bf771f79837f8
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/17655
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/17655
Autor:
Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ, Томский государственный университет Факультет инновационных технологий Кафедра управления инновациями, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Факультет инновационных технологий Научные подразделения ФИТ
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 11. С. 53-59
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=httpsopenrep::f11b40420b6bf805a2aa1e7501665fad
https://openrepository.ru/article?id=803528
https://openrepository.ru/article?id=803528
Autor:
Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ, Томский государственный университет Факультет инновационных технологий Кафедра управления инновациями, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Факультет инновационных технологий Научные подразделения ФИТ
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 11. С. 53-59
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::0118a3e7427aa8366564204e4eda0f71
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470791
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470791
Autor:
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Publikováno v:
Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2012. Т. 9, № 4. С. 486-494
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::b33ff5db3172b63b9031221d791b0dad
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000438914
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000438914
Autor:
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Publikováno v:
Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2012. Т. 9, № 4. С. 486-494
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=httpsopenrep::24356764a1fcb82f2d661c1c3da73494
https://openrepository.ru/article?id=836335
https://openrepository.ru/article?id=836335