Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"кремній-германій"'
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 2, Pp 185-189 (2019)
The article deals with the filamentous Si0,97Ge0,03 crystals with transverse dimensions of 40 ± 2 μm grown by the method of chemical transport reactions in the closed bromide system using gold as a growth initiator. The focus of research was the in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e1baaef2f93a4f898440da0cc4fc7624
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 2, Pp 185-189 (2019)
The article deals with the filamentous Si0,97Ge0,03 crystals with transverse dimensions of 40 ± 2 μm grown by the method of chemical transport reactions in the closed bromide system using gold as a growth initiator. The focus of research was the in
Стаття присвячена дослідженню намагніченості та магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si1 – xGex (x = 0,05) діаметром близько 1 м
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::66c03e205098f0add9423aacfe283191
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86565
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86565
Робота спрямована на визначення впливу ізоляції канавок на самонагрівання та електричні характеристики біполярного транзистора з гет
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7e3d4779fd29be577103a64731d818cf
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82594
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82594
Publikováno v:
Physics and Chemistry of Solid State; Vol 20, No 2 (2019); 185-189
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 20, No 2 (2019); 185-189
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 20, No 2 (2019); 185-189
The article deals with the filamentous Si0,97Ge0,03 crystals with transverse dimensions of 40 ± 2 μm grown by the method of chemical transport reactions in the closed bromide system using gold as a growth initiator. The focus of research was the in
Autor:
A. A. Druzhinin, V. M. Tsmots, N. T. Pavlovska, Yu.V. Pavlovskyy, A. Ya. Karpenko, I. P. Ostrovskyy, Yu. Khoverko, P.G. Litovchenko
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 7, № 4 (2010); 5-8
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 4 (2010); 5-8
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 4 (2010); 5-8
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 4 (2010); 5-8
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 4 (2010); 5-8
The impact of proton irradiation and high magnetic field on the electroconductivity and magnetoresistance of Si1-xGex (õ = 0,03) whiskers with resistance of ρ = 0,008–0,025 Ohm∙cm in the temperature range of 4,2–300 Ê.is studied. It is fount
Publikováno v:
Вісник Національного технічного університету України Київський політехнічний інститут. Серія: Радіотехніка. Радіоапаратобудування.
На основе экспериментальных исследований установлено, что деформированые сжатием микрокристаллы Si1-хGeх (х = 0,01÷0,03) с удельным сопротивл
Publikováno v:
Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць
На основі експериментальних досліджень встановлено, що деформовані стиском мікрокристали Si1-хGeх (х = 0,01÷0,03) з питомим опором ρ300 = 0,016 Ом*с
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::aba90a9db4deffd35563fa8fdbf3c0f1
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/7246
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/7246