Výsledky vyhledávání - "кремниевые подложки"

Исследования оcобенностей наноразмерных гетероструктур GaN и AlGaN, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках с использованием буферного слоя пористого кремния

В работе исследованы оcобенности наноразмерных гетероструктур GaN и AlGaN, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучков

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3992::82b0cb6b9a4b56e3f652ccaa143eafcb
https://elib.belstu.by/handle/123456789/56330

Zobrazit plný text záznamu

Physical properties of GaN/InGaN nanowires grown by PA-MBE on silicon substrate

Autor: Bondarenko, Dariya, Gridchin, Vladislav, Kotlyar, Konstantin, Baranov, Artem, Maksimova, Alina, Reznik, Rodion, Cirlin, George

The paper presents an approach to growth of GaN nanowires with thick core-shell InGaN insertions with a high indium content for creation of LED structure. The study of the electrical properties shows typical diode dependence. The results obtained can

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::644a2e2f964bc56221984036e5a1fb8d

Zobrazit plný text záznamu

Studying the Formation of Si (100) Stepped Surface in Molecular-Beam Epitaxy

Autor: M. Yu. Esin, Yu. Yu. Hervieu, Vyacheslav Timofeev, A. I. Nikiforov

Publikováno v: Russian physics journal. 2018. Vol. 61, № 7. P. 1210-1214

Experimental studies of the formation of a stepped surface structure during molecular-beam epitaxy of silicon on a Si (100) substrate have been carried out in wide ranges of variation of the substrate temperature and silicon growth rate. The conditio

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c5423eb90515a76e36a305f2ba071acc
https://doi.org/10.1007/s11182-018-1519-y

Zobrazit plný text záznamu

Мультисенсорная микросистема повышенной эффективности контроля газовой среды на основе подложек из кремния и пористого оксида алюминия

Autor: Плескачевский, Ю. М.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2402::a6ed49ece647e5539ca9bbe32301df26
https://rep.bntu.by/handle/data/50843

Zobrazit plný text záznamu

Исследование структуры и электрических свойств гетероструктур p-CdxZn1-xTe/n-Si, полученных методом вакуумной эпитаксии пленок твердых растворов на кремниевые подложки

Приведены исследования гетероструктур p-CdxZn1-xTe/n-Si: морфологии тонких пленок CdxZn1-xTe, их состава и влияния состава на качество прибора. Пред

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5dbf3699a22fe747b77e47edf4c7910

Zobrazit plný text záznamu

Электрические и фотоэлектрические свойства структур на основе эпитаксиальных плёнок p-CdXZn₁-xTe, выращенных на Si (100) подложках

Работа посвящена изготовлению и исследованию структуры, состава и электрических свойств плёнок CdXZn1-XTe на Si (100) подложке, пригодных для п�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d4bda5f875c7b29bb9d9be431e0a314d

Zobrazit plný text záznamu

Методы резки кремниевых приборных пластин на чипы в производстве органических микродисплеев

Publikováno v: Интернет-журнал Науковедение.

Требования к высокой точности и улучшению качества обработки поверхности и спрос на производство микродисплеев на органических светои

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806::baf70dd8cdce0244db234eb31380dda3
http://cyberleninka.ru/article_covers/15682148.png

Zobrazit plný text záznamu

Влияние режимов облучения мишеней из гидроксиапатита мощными импульсными ионными пучками на свойства сформированных кальций-фосфатных покрытий

Publikováno v: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

Исследованы физико-механические свойства биосовместимых кальций-фосфатных покрытий, осажденных на титановые и кремниевые подложки из

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3626::34144f5be759fb812bbbf268aecc8314
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35974

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání