Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"квантові ями"'
Autor:
Iryna Petrivna Baida, Kostiantyn Viacheslavovych Kulikov, Volodymyr Oleksandrovych Moskaliuk, Volodymyr Ivanovych Tymofieiev
Publikováno v:
Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 2 (2019)
У роботі наведено аналіз релаксаційних процесів у субмікронних гетероструктурних транзисторах з системою квантових ям. Розроблено мет
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9b669b746fc64c66b8bb404814520a73
Autor:
Baida, Iryna Petrivna, Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych, Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych, Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych
Publikováno v:
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
The analysis of relaxation processes in submicrometer heterostructure transistors with the system of quantum walls is investigated. The methods of nano heterostructure design are developed including quantum effects and specific for ternary alloys sca
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::a9ffdec9c805571e0d062e973331e729
http://elc.kpi.ua/article/view/169269
http://elc.kpi.ua/article/view/169269
Publikováno v:
Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал, 2019, Т. 24, № 2(109)
У роботі наведено аналіз релаксаційних процесів у субмікронних гетероструктурних транзисторах з системою квантових ям. Розроблено мет
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::7af9d4e236ecad1f100bd47b10185c2e
https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.2.169269
https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.2.169269
Autor:
Тимофєєв, В. І., Timofeyev, V., Тимофеев, В. И., Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Факультет електроніки, Кафедра електронної інженерії
Предметом дослідження є електричні й оптоелектронні характеристики потрійних сполук AIIIBV та структур на їх основі. Особлива увага приді
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::265849ace549946407ec7d6505d05072
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/29424
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/29424
Autor:
Avksentyev, Yu., Parfenuk, P.
Publikováno v:
Electronics and Communications; Том 19, № 2 (2014); 30-35
Электроника и Связь; Том 19, № 2 (2014); 30-35
Електроніка та Зв'язок; Том 19, № 2 (2014); 30-35
Электроника и Связь; Том 19, № 2 (2014); 30-35
Електроніка та Зв'язок; Том 19, № 2 (2014); 30-35
В статье приводятся результаты сравнения эффективности рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках (QDs) и квантовых яма
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::bd68fb8fe2037ce2d8cb6d82dac81763
http://elc.kpi.ua/old/article/view/142193
http://elc.kpi.ua/old/article/view/142193
Publikováno v:
Electronics and Communications: научно-технический журнал
У статті наводяться результати порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв в ІnGa квантових точках (QDs) і квантових ямах (QW
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::9eae831fdba0a3e620402efe539d3173
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125
Autor:
Тимофєєв, В., Національний технічний університет України 'Київський політехнічний інститут'
Метою роботи є дослідження наноматеріалів і прогнозування можливостей їх використання для створення надшвидкодійних і надвисокочасто
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::aad01c7065fcdeabc3c1e2c038742205
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/12585
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/12585