ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИЧИН КАТАСТРОФИЧЕСКОЙ ДЕГРАДАЦИИ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ МОП- ТРАНЗИСТОРОВ

Autor: Kulinich, O., Glauberman, M., Chemeresuk, G., Yatsunsky, I.

Publikováno v: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 2, № 1 (2005); 85-89
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 2, № 1 (2005); 85-89
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 2, № 1 (2005); 85-89

The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be:– thermal compression contacts ru

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::99b9cfb5bc3bf5fa608c3d1ea2cf244d
http://semst.onu.edu.ua/article/view/112262